铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板技术

本发明专利技术涉及一种铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板，更加详细涉及由化学式1表示的铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板。根据本发明专利技术，能够形成均匀的薄膜，并由于改善沉积速度而提高生产率，同时热稳定性和保存稳定性优秀，且易于处理。且易于处理。且易于处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板


[0001]本专利技术涉及一种铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板，更加详细涉及由于在沉积工艺中表现出恒定的蒸气压而保持恒定的组成，从而能够形成均匀的薄膜，并由于改善沉积速度而提高生产率的铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板。

技术介绍

[0002]下一代显示器以低功耗、高分辨率及高可靠性为目标进行发展。为了实现这些目标，需要具有高电荷迁移率的薄膜晶体管(thin film transistor；TFT)物质。
[0003]虽然现有薄膜晶体管中使用了非晶硅，但是近来使用着电荷迁移率高于硅且低温工艺比多晶硅更加容易的金属氧化物。作为这种金属氧化物，使用添加了铟(Indium)、锌(Zinc)等各种金属原子的材料，金属氧化物薄膜通过溅射(Sputtering)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition；ALD)、脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition；PLD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)等工艺制备。
[0004]铟由于透明性和导电性优秀而被广泛应用于透明电极，如韩国公开专利公报第2011
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0020901号，当利用溅射靶通过溅射形成包含铟(In)的金属薄膜时，所沉积的薄膜的组成由溅射靶决定，因此在均匀调节薄膜的组成方面存在局限性。另外，当进行大面积沉积时，很难均匀地保持薄膜的组成及厚度，从而在获取均匀的膜特性方面也有困难。
[0005]另外，当以化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)方式替代溅射(Sputtering)进行制备时，以往使用的铟前体(例如三甲基铟(CAS NO.3385
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2))大部分为固体，因此在调节蒸气压及膜质重现性方面存在问题。特别是在高温条件(250℃以上)下，大部分的铟(In)前体具有被热分解的特性，因而很难获取高品质的薄膜，并且，当进行大面积沉积时，在获得厚度和多组分组成均匀的薄膜方面也存在限制。
[0006]因此，急需开发高温热稳定性优秀且均匀沉积的高品质铟前体。
[0007]在先技术文献
[0008]专利文献
[0009]韩国公开专利第2011
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0020901号

技术实现思路

[0010]技术问题
[0011]为了解决上述现有技术的问题，本专利技术的目的在于，提供在具有高沉积速度及高挥发性的同时，热稳定性和保存稳定性优秀，且易于处理的铟前体化合物。
[0012]另外，本专利技术的目的在于，提供包含所述铟前体化合物，并由于在沉积工艺中表现出恒定的蒸气压而保持恒定的组成，从而能够形成均匀的薄膜，且膜厚度的均匀性优秀的薄膜的制备方法，及包含由所述方法制备的薄膜的基板。
[0013]本专利技术的所述目的及其他目的能够通过以下说明的本专利技术全部实现。
[0014]技术方案
[0015]为了实现所述目的，本专利技术提供一种铟前体化合物，该铟前体化合物由下述化学式1表示，
[0016]化学式1：
[0017][0018]所述化学式1中，R1、R3及R4各自独立地为被取代或未被取代的碳原子数1至6的烷基，R2为碳原子数1至6的直链或者支链烷基，R5及R6各自独立地为氢或碳原子数1至3的烷基，X为碳原子或杂原子，n为1至3的整数。
[0019]另外，本专利技术提供一种薄膜的制备方法，包括以下步骤：将所述铟前体化合物沉积于基材上而形成薄膜。
[0020]另外，本专利技术提供一种基板，该基板通过所述薄膜的制备方法制成。
[0021]专利技术效果
[0022]根据本专利技术，能够提供在具有高挥发性的同时，热稳定性及保存稳定性优秀，且易于处理的铟前体化合物；在制备包含该铟前体化合物的薄膜时，由于在沉积工艺中表现出恒定的蒸气压而保持恒定的组成，从而能够制备均匀的薄膜，并由于改善沉积速度而提高生产率的薄膜的制备方法；及包含由此制备的均匀的薄膜的基板。
附图说明
[0023]图1是示出对本专利技术的合成例中制备的前体化合物的核磁共振氢谱(1HNMR)的图。
具体实施方式
[0024]以下，对本专利技术的铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板进行详细说明。
[0025]在本专利技术说明书及权利要求书中使用的术语或单词不应被解释为限于通常含义或词典含义，而应当基于“专利技术人可以为了以最佳方式描述其自身的专利技术而适当地定义术语的概念”这一原则，解释为符合本专利技术的技术思想的含义和概念。
[0026]在本说明书中，当提及某一部件位于其他部件“上”时，这不仅包括与其他部件直接接触的情况，还包括在两个部件之间存在其他部件的情况。
[0027]在本说明书中，当提及某一部分“包括”某一构成要素时，除非有相反的记载，否则并非排除其他构成要素，而是指可以进一步包括其他构成要素。
[0028]本专利技术人确认了使铟前体的配体包含双键并简化配体，从而使其热稳定性优秀的
同时大幅改善沉积速度，在此基础上，经过更为深入的研究，完成了本专利技术。
[0029]本专利技术的铟前体化合物由下述化学式1表示。
[0030]化学式1：
[0031][0032]在所述化学式1中，R1、R3及R4各自独立地为被取代或未被取代的碳原子数1至6的烷基，R2为碳原子数1至6的直链或者支链烷基，R5及R6各自独立地为氢或碳原子数1至3的烷基，X为碳原子或杂原子，n是满足X化合价的值，为1至3的整数。
[0033]在所述化学式1中，作为一例，X可以是包含非共价电子对的杂原子。作为一例，包含所述非共价电子对的杂原子可以是N、O或者S，较佳为N。此时，如化学式1
‑
1所示，由于包含在所述杂原子的非共价电子对，铟和杂原子之间形成配位键，从而使所述铟前体化合物变得非常稳定，并且改善热稳定性及保存稳定性。
[0034]化学式1
‑
1：
[0035][0036]作为一例，当X为氮(N)时，n可以是2，当X为氧(O)或者硫(S)时，n可以是1，当X为碳(C)时，n可以是3。
[0037]在所述化学式1中，R2为碳原子数1至6的直链或者支链烷基，优选为支链烷基。作为一例，可以是仲烷基或者叔烷基，具体地，可以是异丙基、仲丁基、异丁基、叔丁基、仲戊基、异戊基、叔戊基、新戊基、异己基、仲己基、叔己基或新己基。最优选地，可以是异丁基、叔丁基、叔戊基或新戊基。此时，防止所述铟前体化合物的分子间形成二聚体(dimer)，从而使沉积工艺更加稳定，并且增强所述X元素和铟之间的配位键，从而进一步提高所述前体化合物的热稳定性及保存稳定性。
[0038]在所述化学式1中，R1、R3及R4各自独立地为被取代或未被取代的碳原子数1至6的烷基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种铟前体化合物，其特征在于，所述铟前体化合物由下述化学式1表示，化学式1：所述化学式1中，R1、R3及R4各自独立地为被取代或未被取代的碳原子数1至6的烷基，R2为碳原子数1至6的直链或者支链烷基，R5及R6各自独立地为氢或碳原子数1至3的烷基，X为碳原子或杂原子，n为1至3的整数。2.根据权利要求1所述的铟前体化合物，其特征在于，在所述化学式1中，X是具有非共价电子对的杂原子。3.根据权利要求1所述的铟前体化合物，其特征在于，在所述化学式1中，R2是支链烷基。4.根据权利要求1所述的铟前体化合物，其特征在于，所述铟前体化合物在25℃下测量的蒸气压为0.01至400mmHg。5.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将权利要求1至4中任一项所述的铟...

【专利技术属性】
技术研发人员：延昌峰，金进喜，郑在善，李锡宗，
申请(专利权)人：秀博瑞殷株式公社，
类型：发明
国别省市：