膜质改善剂、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板及半导体器件技术

本发明专利技术涉及膜质改善剂、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板及半导体器件，将规定结构的化合物作为膜质改善剂提供，并且在基板上形成钼基薄膜用屏蔽区域，以降低钼基薄膜的沉积速度，并控制薄膜生长率，从而即使在具有复杂结构的基板上使用常温下为固体的化合物来形成薄膜时，也能大幅提高台阶覆盖率以及薄膜的厚度均匀性，降低腐蚀或劣化，并提高薄膜的结晶性，以改善薄膜的电特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及膜质改善剂、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板及半导体器件，更具体地，涉及膜质改善剂、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板，其在基板上形成钼基薄膜用屏蔽区域，以降低或增加钼基薄膜的沉积速度，适当调节薄膜生长率，以在具有复杂结构的基板上形成薄膜或者在常温下使用固体前体来形成薄膜时，大幅提高台阶覆盖率(step coverage)、薄膜的厚度均匀性或比电阻等膜质量。

技术介绍

1、钼(mo)的化学和热稳定性非常优异，且具有高导电性和低电阻率(体电阻率ρ＝0.57×10-5ω·cm)，作为符合最近器件的精细化、低耗电量、高生产率等要求的物质而备受关注。

2、具体地，钼在执行多种半导体、显示器金属工艺时，被应用为电极(electrode)、防扩散膜(diffusion barrier)、气体传感器、催化剂物质，特别是含钼薄膜作为代替石墨烯材料的二维半导体物质而备受关注，对其的应用研究正在迅速进行。

3、为了形成含钼薄膜而使用的代表性钼化合物有氯化钼(mocl5)。但是，据thinsolid films,166,1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于钼基薄膜的膜质改善剂，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的用于钼基薄膜的膜质改善剂，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的用于钼基薄膜的膜质改善剂，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的用于钼基薄膜的膜质改善剂，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的用于钼基薄膜的膜质改善剂，其特征在于，

6.一种钼基薄膜形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

7.根据权利要求6所述的钼基薄膜形成方法，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的钼基薄膜形成方法，其特征在于，

9.根据权利要求6所述的钼基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于钼基薄膜的膜质改善剂，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的用于钼基薄膜的膜质改善剂，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的用于钼基薄膜的膜质改善剂，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的用于钼基薄膜的膜质改善剂，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的用于钼基薄膜的膜质改善剂，其特征在于，

6.一种钼基薄膜形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

7.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：延昌峰，郑在善，李承铉，
申请(专利权)人：秀博瑞殷株式公社，
类型：发明
国别省市：