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本发明涉及膜质改善剂、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板及半导体器件，将规定结构的化合物作为膜质改善剂提供，并且在基板上形成钼基薄膜用屏蔽区域，以降低钼基薄膜的沉积速度，并控制薄膜生长率，从而即使在具有复杂结构的基板上使用常温下为固...
该专利属于秀博瑞殷株式公社所有，仅供学习研究参考，未经过秀博瑞殷株式公社授权不得商用。

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