一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法技术

本发明专利技术提供一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)将MoO2、SnO2、水和分散剂搅拌分散；(2)搅拌分散后，将混合溶液球磨至粒度合格；(3)将In2O3、水、分散剂和粘结剂进行乳化；(4)将乳化后的溶液加入到步骤(2)球磨后的混合液中，继续球磨至粒度合格；(5)将步骤(4)球磨合格的混合溶液进行喷雾干燥造粒；(6)将造粒后的粉体制成靶坯，再进行冷等静压、烧结。采用本发明专利技术制备方法，可以制得一种新的掺杂了高纯度MoO2的ITO靶材，该靶材可以降低靶材的电阻率，提高靶材的导电性，解决靶材的结瘤问题。结瘤问题。结瘤问题。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法


[0001]本专利技术涉及靶材
，具体涉及一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法。

技术介绍

[0002]Sn掺杂In2O3的陶瓷材料ITO作为一种透明导电薄膜，已经被广泛地应用到了液晶显示器、等离子显示器和太阳能电池等产品中。制备ITO薄膜的工艺包括:喷涂法、化学气相沉积法、蒸镀法和溅射法1。在这些方法中溅射法因其在制备薄膜时，具有良好的操控性和较高的成膜速率已经成为目前应用最广的ITO薄膜制备技术。但是利用溅射法制备ITO薄膜时，在溅射轨道附近往往会出现一些结瘤。这些结瘤的产生不但会加剧弧光放电现象，而且使ITO靶材表面不稳定，导致所制备的ITC薄膜质量下降。这就必须停机并对ITO靶材表面进行清理、严重影响ITO薄膜的生产制备效率。
[0003]市面上现有可使用的ITO靶材，虽然电阻率低、透过率高，但是ITO靶材有一个弊端，就是随着溅射时间的增长，靶材容易结瘤。结瘤是因为靶材的导电性能较低导致的。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将MoO2、SnO2、水和分散剂搅拌分散；(2)搅拌分散后，将混合溶液球磨至粒度合格；(3)将In2O3、水、分散剂和粘结剂进行乳化；(4)将步骤(3)乳化后的溶液加入到步骤(2)球磨后的混合液中，继续球磨至粒度合格；(5)将步骤(4)球磨合格的混合溶液进行喷雾干燥造粒；(6)将造粒后的粉体制成靶坯，再进行冷等静压、烧结。2.根据权利要求1所述高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法，其特征在于，所述MoO2、SnO2、In2O3之间的质量比为1～2：3～10：88～96；所述分散剂为十二烷基磺酸钠；所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；所述MoO2的纯度≥4.5N；所述In2O3的纯度≥4.5N。3.根据权利要求1所述高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，MoO2和SnO2的混合物、水、分散剂之间的质量比为20～70：29.9～79.2：0.1～0.8；分散转速为300～1000rpm，分散时间为0.5～2h。4.根据权利要求1所述高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，球磨时间为50～150min，球磨的转速为300～1500rpm，球磨使用的锆球...

【专利技术属性】
技术研发人员：张莉兰，徐蒙，钟小华，高建成，凤吾生，
申请(专利权)人：先导薄膜材料有限公司，
类型：发明
国别省市：