一种大长径比ITO管状靶材的制备方法及制作模具技术

本发明专利技术公开了一种大长径比ITO管状靶材的制备方法及制作模具，涉及ITO管状靶材制备方法技术领域，包括以下步骤：步骤一，将氧化铟粉末和氧化锡粉末按照重量百分比90:10的方式进行均匀混合；步骤二，将混合后的粉末进行焙烧，形成形成ITO混合粉末；通过带有锥度的钢制内芯，使得ITO管状素坯上下端内径具有自然锥度，可以降低烧结过程因ITO管状素坯与承烧板的摩擦产生的由下端至上端收缩率不一致而导致的上下端内径偏差，同时应用与ITO管状素坯不发生反应的高圆度氧化锆球作为承烧板，可以利用氧化锆球的相对自由滑动或错动来减少ITO管状素坯由下至上产生的烧结时收缩受阻，实现对大长径比管靶上下端内径的均匀一致性收缩。长径比管靶上下端内径的均匀一致性收缩。长径比管靶上下端内径的均匀一致性收缩。

【技术实现步骤摘要】
一种大长径比ITO管状靶材的制备方法及制作模具


[0001]本专利技术属于ITO管状靶材制备方法
，具体涉及一种大长径比ITO管状靶材的制备方法及制作模具。

技术介绍

[0002]ITO(氧化铟锡)薄膜是一种n型半导体材料，具有优异的透明导电特性，ITO薄膜是以ITO靶材为原料，通过磁控溅射等方式制备，具有透光率高、导电性好，有优良的化学稳定性、热稳定性和刻蚀性等优点。已广泛应用于制造平板液晶显示器(TFT
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LCD)、电致发光器件(OLED)、触摸屏、太阳能电池等。
[0003]ITO透明导电薄膜制备主要工艺是使用磁控溅射技术。随着平面显示技术向高世代的发展，ITO薄膜基板尺寸日趋大型化(TFT
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LCD 10.5G基板规格已达3370mm
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2940)。相对于常规平面形制的ITO靶材，管状旋转靶材具有：靶材利用率高，可达75
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80％(平面靶材约25
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35％)；溅射速率高(通常是平面靶材的1
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2倍)；有效减少打弧(A本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大长径比ITO管状靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将氧化铟粉末和氧化锡粉末按照重量百分比90:10的方式进行均匀混合；步骤二，将混合后的粉末进行焙烧，形成形成ITO混合粉末；步骤三，将ITO混合粉末以电导率≥10MΩ的去离子水为分散介质，并加入聚丙烯铵做为分散剂、PVA作为粘结剂，并以Φ3
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5mm钇稳定氧化锆球作为研磨介质，球磨20
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60hr；步骤四，将经过步骤三处理后的ITO混合粉末进行团化造粒处理，造粒后的ITO粉末振实密度为2.0
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3.5g/cm3，水分含量为0.5
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2.5％；步骤五，将团化造粒后的ITO粉末装入ITO管状素坯成型模具中，以300
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450MPa进行冷等静压成型，制得中空管状素坯，然后将中空管状素坯放入温度500
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1000℃环境中持续10
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20hr进行脱脂、脱水处理；步骤六，将处理后的中空管状素坯于氧气流通气氛中，以1500℃
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1650℃保温烧结10
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30hr，之后缓慢降温，制得ITO管状靶材，在保温烧结过程中，中空管状素以氧化锆球为承烧板，中空管状素坯垂直摆放氧化锆球上，ITO管状靶材相对密度≥99.5％，长径比大于6，抗弯强度≥130MPa，热膨胀系数(1
×
10
‑6/℃)≤8.0。2.根据权利要求1所述的一种大长径比ITO管状靶材的制备方法，其特征在于，所述氧化铟粉末的比表面积为15
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25m2/g；所述氧化锡粉末的比表面积为10
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20m2/g。3.根据权利要求1所述的一种大长径比ITO管状靶材的制备方法，其特征在于，步骤二的焙烧温度为1000
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【专利技术属性】
技术研发人员：孔伟华，
申请(专利权)人：江苏东玖光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：