用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材及其制备方法技术

一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材及其制备方法，在氟掺杂二氧化钛纳米粉体内添进二硫化钼添加剂，把氟掺杂二氧化钛纳米粉体和二硫化钼添加剂搅拌匀和，让氟掺杂二氧化钛纳米粉体上均衡覆盖着二硫化钼添加剂，接着在均衡覆盖着二硫化钼添加剂的氟掺杂二氧化钛纳米粉体内添进聚乙烯添加剂且搅拌匀和，以此取得初级产品；把初级产品填满模具，接着把该模具送入压力机内压制为胚体，随后结合其他步骤让本发明专利技术取得的陶瓷靶材成膜后可见光透过率高于92％和近红外阻隔率高于51％，可满足越来越高标准的近红外光屏蔽薄膜所需的陶瓷靶材的要求，本发明专利技术取得的陶瓷靶材热导率高于6.20W/(m·K)且拉伸强度高于358.00MPa，由此制得的氟掺杂纳米二氧化钛靶材性能佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材，具体涉及一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材及其制备方法。

技术介绍

1、近红外光屏蔽薄膜是一种能透过可见光同时屏蔽近红外光的薄膜,其在节能环保方面得到了广泛地应用,例如作为建筑物和汽车的玻璃涂层.近红外光屏蔽薄膜的发展关键是制备性能优异的近红外光屏蔽材料。

2、而在用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材方面，正如专利公开号为“cn117819967a”的现有技术方案所提及的，制备了一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材，然而从实际应用来看，用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材远不如氟掺杂纳米二氧化钛靶材的成膜后可见光透过率和近红外阻隔率高，而另一方面，氟掺杂纳米二氧化钛靶材的成膜后可见光透过率普遍低于90％和近红外阻隔率普遍低于43％，无法满足越来越高标准的近红外光屏蔽薄膜所需的陶瓷靶材的要求。

3、另一方面，现有的制作氟掺杂纳米二氧化钛靶材的工艺普遍还是如专利公开号为“cn104557021a”的工艺制作而成(仅仅把其内的原料二氧化钛粉体换成了氟掺杂二氧化钛纳米粉末)，这样取本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，氟掺杂二氧化钛纳米粉体和二硫化钼添加剂的重量比为1：

3.根据权利要求2所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，氟掺杂二氧化钛纳米粉体和聚乙烯添加剂的重量比为1：

4.根据权利要求3所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，把该模具送入压力机内压制为胚体期间：压力机的工作压力为24Mp～32Mp，压力机的压制用时为0.5min～1.5min。

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【技术特征摘要】

1.一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，氟掺杂二氧化钛纳米粉体和二硫化钼添加剂的重量比为1：

3.根据权利要求2所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，氟掺杂二氧化钛纳米粉体和聚乙烯添加剂的重量比为1：

4.根据权利要求3所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，把该模具送入压力机内压制为胚体期间：压力机的工作压力为24mp～32mp，压力机的压制用时为0.5min～1.5min。

5.根据权利要求4所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，把去除聚乙烯添加剂后的胚体送进煅烧炉内执行煅烧的方法包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洪强，孔伟华，刘秉宁，
申请(专利权)人：江苏东玖光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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