一种多电容匹配式MOM电容器制造技术

本发明专利技术提供一种多电容匹配式MOM电容器，包括：基底；电容主体，位于基底上方，其包括：多层金属化层和多层介质层，每两层金属化层之间均具有一介质层，每一金属化层具有多个间隔设置且相互平行的第一电极条和第二电极条，且相邻的第一电极条和第二电极条之间填充有隔离电介质；公共T极板，所有的第一电极条均电连接于公共T极板；多个B极板，与公共T极板平行相对设置，并将电容主体分割为多个匹配电容单元，每个匹配电容单元的第二电极条连接于相对应的B极板；冗余极板，设置在边缘的B极板的外侧，与公共T极板平行相对设置；冗余电容，位于基底上，且位于电容主体的外侧，冗余电容的一端连接于公共T极板，另一端连接于冗余极板。另一端连接于冗余极板。另一端连接于冗余极板。

【技术实现步骤摘要】
一种多电容匹配式MOM电容器


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种多电容匹配式MOM电容器。

技术介绍

[0002]电容器是集成电路（简称IC）中的重要组成单元，广泛运用于存储器、微波、射频、智能卡和滤波等芯片中。
[0003]随着半导体集成电路制造技术的不断进步，半导体器件的性能也不断提升。集成电路集成度提升过程中对于电容器如何在有限的面积下获得高密度的电容成为一个重要课题。
[0004]现有电容器通常包括：结电容器、栅电容器、金属
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金属（Intra
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metal）电容器等等。其中，在高电容密度的场合，结电容器、栅电容器的线性度及品质因数都较差，且击穿电压低，适用性不强；而金属
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金属（Intra
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metal）电容器的线性特征要远好于其他类型的电容器，因而具有更好的精度，能更好的满足高电容密度场合的需要。上述金属
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金属（Intra
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metal）电容器包括了MIM（metal
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insulator
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metal，金属
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绝缘体
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金属）电容器和MOM（metal
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oxide
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metal，金属
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氧化物
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金属）电容器。
[0005]在很多模拟电路中如高精度ADC（Analog to Digital Converter，模数转换器），电容的匹配直接影响电路的精度。如图1，四个电容，T端连在一起，作为敏感节点，B1~B4可能分别连接到不同的信号，四个电容要求匹配精度越高越好。
[0006]为此，如何提高多个电容的匹配精度并减小多电容匹配式MOM电容器的芯片尺寸，是本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现思路

[0007]本专利技术揭示了一种多电容匹配式MOM电容器，能够提高多个电容的匹配精度并减小多电容匹配式MOM电容器的芯片尺寸。
[0008]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种多电容匹配式MOM电容器，包括：基底；电容主体，所述电容主体位于所述基底上方，所述电容主体包括：多层金属化层和多层介质层，每两层所述金属化层之间均具有一所述介质层，每一所述金属化层具有多个间隔设置且相互平行的第一电极条和第二电极条，且相邻的所述第一电极条和所述第二电极条之间填充有隔离电介质；公共T极板，所有的所述第一电极条均电连接于所述公共T极板；多个B极板，与所述公共T极板平行相对设置，并将所述电容主体分割为多个匹配电容单元，每个所述匹配电容单元的所述第二电极条连接于相对应的所述B极板；冗余极板，设置在边缘的所述B极板的外侧，与所述公共T极板平行相对设置；冗余电容，所述冗余电容位于所述基底上，且位于所述电容主体的外侧，所述冗余电容的一端连接于所述公共T极板，另一端连接于所述冗余极板。
[0009]可选方案中，所述公共T极板包括相对的两侧，多个所述B极板均设置在所述公共T极板的同一侧，或者多个所述B极板分设在所述公共T极板的两侧。
[0010]可选方案中，多个所述B极板分设在所述公共T极板的两侧，且位于所述公共T极板其中一侧的所述B极板通过导电结构与位于所述公共T极板另一侧的所述B极板电连接，以使所述B极板的出线端口均位于所述公共T极板的一侧。
[0011]可选方案中，所述冗余电容包括多层金属化层和多层介质层，每两层所述金属化层之间均具有一所述介质层，每一所述金属化层具有多个间隔设置且相互平行的第一冗余电极条和第二冗余电极条，且相邻的所述第一冗余电极条和所述第二冗余电极条之间填充有隔离电介质，其中所有的所述第一冗余电极条连接于所述公共T极板，所有的所述第二冗余电极条连接于所述冗余电极。
[0012]可选方案中，所述冗余电容的每一所述金属化层与所述电容主体的每一所述金属化层一一对应，所述冗余电容的每一所述介质层与所述电容主体的每一所述介质层一一对应。
[0013]可选方案中，所述第一冗余电极条长度和所述第二冗余电极条长度相等，且与所述第一电极条长度、所述第二电极条长度相等。
[0014]可选方案中，多个所述B极板通过各自的导电结构与外部信号电连接，或者设定数量的所述B极板先导电连通，再与外部信号电连接。
[0015]可选方案中，多个所述冗余极板通过各自的导电结构连接于参考地，或者设定数量的所述冗余极板先导电连通，再与参考地连接。
[0016]可选方案中，所述第一电极条与相邻的两条所述第二电极条等距设置。
[0017]可选方案中，在竖向方向上，所述第一电极条的上方和下方均设有所述第二电极条。
[0018]本专利技术的有益效果在于：本专利技术通过共用公共T极板，并连接冗余电容，提高了多个电容的匹配精度，方便模数转换器(ADC)和其他对匹配精度要求高的电路使用。不但提高了有效电容值，还减少了冗余电容的使用，减小了芯片尺寸。
附图说明
[0019]通过结合附图对本专利技术示例性实施例进行更详细的描述，本专利技术的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，在本专利技术示例性实施例中，相同的参考标号通常代表相同部件。
[0020]图1示出了现有技术中一种多电容匹配式MOM电容器示意图。
[0021]图2a示出了根据本专利技术一实施例的多电容匹配式MOM电容器的结构示意图。
[0022]图2b为图2a的电路图。
[0023]图3a为图2a中A处的多电容匹配式MOM电容器的剖面图。
[0024]图3b为图2a中B处的多电容匹配式MOM电容器的剖面图。
[0025]图4a示出了根据本专利技术另一实施例的多电容匹配式MOM电容器的结构示意图。
[0026]图4b为图4a的电路图。
[0027]图5a示出了根据本专利技术再一实施例的多电容匹配式MOM电容器的结构示意图。
[0028]图5b为图5a的电路图。
[0029]附图标号：1
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公共T极板；11
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第一电极条；2
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B极板；21
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第二电极条；301
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第一冗余电极条；302
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第二冗余电极条；3
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冗余电极板。
具体实施方式
[0030]以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。根据下面的说明和附图，本专利技术的优点和特征将更清楚，然而，需说明的是，本专利技术技术方案的构思可按照多种不同的形式实施，并不局限于在此阐述的特定实施例。附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0031]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多电容匹配式MOM电容器，其特征在于，包括：基底；电容主体，所述电容主体位于所述基底上方，所述电容主体包括：多层金属化层和多层介质层，每两层所述金属化层之间均具有一所述介质层，每一所述金属化层具有多个间隔设置且相互平行的第一电极条和第二电极条，且相邻的所述第一电极条和所述第二电极条之间填充有隔离电介质；公共T极板，所有的所述第一电极条均电连接于所述公共T极板；多个B极板，与所述公共T极板平行相对设置，并将所述电容主体分割为多个匹配电容单元，每个所述匹配电容单元的所述第二电极条连接于相对应的所述B极板；冗余极板，设置在边缘的所述B极板的外侧，与所述公共T极板平行相对设置；冗余电容，所述冗余电容位于所述基底上，且位于所述电容主体的外侧，所述冗余电容的一端连接于所述公共T极板，另一端连接于所述冗余极板。2.如权利要求1所述的多电容匹配式MOM电容器，其特征在于，所述公共T极板包括相对的两侧，多个所述B极板均设置在所述公共T极板的同一侧，或者多个所述B极板分设在所述公共T极板的两侧。3.如权利要求2所述的多电容匹配式MOM电容器，其特征在于，多个所述B极板分设在所述公共T极板的两侧，且位于所述公共T极板其中一侧的所述B极板通过导电结构与位于所述公共T极板另一侧的所述B极板电连接，以使所述B极板的出线端口均位于所述公共T极板的一侧。4.如权利要求1所述的多电容匹配式MOM电容器，其特征在于，所述冗余电容包括多层金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：王汉卿，李雪民，梅恒芳，
申请(专利权)人：苏州领慧立芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：