【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基准源，具体涉及一种温漂曲率可调节的基准源。
技术介绍
1、基准源是集成电路中一个重要器件，可以为其他电路提供基准电压和基准电流。图1a和图1b示为传统电压/电流型的基准源，它们分别通过调节ra0、rb0的大小改变∆vbe的分量从而实现输出电压的一阶温度系数补偿。
2、然而，传统电压/电流型的基准源的一阶温度系数补偿，并不能改变基准源随温度变化的曲率大小和形状，进而提供更高精度的输出电压，无法满足高精度低温漂电压的需求。
3、现有的高精度基准源大部分只包含一阶温漂补偿电路，带曲率补偿的基准源通常需要采用复杂的开关和电流镜电路去产生补偿电流，结构复杂面积大，通常补偿后仍然残留较高的曲率，且随工艺变化比较大。
4、基于这一技术背景，本专利技术研究了一种温漂曲率可调节的基准源，将补偿后的曲率进一步降低。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提出一种温漂曲率可调节的基准源，可对现有的电压/电流型的基准源进行曲率大小和温度转折点调节，实现最优曲率，进而提供更高精度的输出电压，满足了实际应用中高精度电压的需求。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供一种温漂曲率可调节的基准源，包括：
3、基准源电路，具有温度补偿结构，设置有一对正负输入反馈点；
4、温度曲率补偿电路，与所述一对正负输入反馈点电连接，用于对所述基准源电路进行曲率补偿，适用于电压型或电流型基准源。
5、本专利技术的技术效果包
6、（1）本专利技术提出的温漂曲率可调节的基准源，可对现有的电压/电流型的基准源进行曲率大小和温度转折点调节，实现最优曲率，进而提供更高精度的输出电压，满足了实际应用中高精度电压的需求。
7、（2）本专利技术提出的温漂曲率可调节的基准源，输出温度曲率更低，从而实现更优的温漂性能；通用型很强，适用于各种类型的电压或者电流型结构基准源；且结构简单，面积小，成本低。
8、本专利技术的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
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1.一种温漂曲率可调节的基准源，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基准源，其特征在于，所述基准源电路为电压型基准源电路或电流型基准源电路；
3.根据权利要求2所述的基准源，其特征在于，所述电流型基准源电路包括第二放大器、一对反馈PMOS管、镜像PMOS管、一对旁路电阻、第二分压电阻、第三分压电阻、第三双极型晶体管和第四双极型晶体管；
4.根据权利要求1所述的基准源，其特征在于，所述温度曲率补偿电路包括负温度系数电流镜、可调负温度系数电流生成结构和零温度系数电流生成结构；
5.根据权利要求4所述的基准源，其特征在于，所述可调负温度系数电流生成结构包括一对负温度系数生成PMOS管、一对负温度系数生成NMOS管和PTAT修调电流源；
6.根据权利要求5所述的基准源，其特征在于，所述零温度系数电流生成结构包括一对零温度系数生成PMOS管、零温度系数分压NMOS管、零温度系数分压电阻、反馈双极型晶体管、第一PTAT电流源和第二PTAT电流源；
7.根据权利要求6所述的基准源，其特征在于，所述第一PTAT电流源
8.根据权利要求7所述的基准源，其特征在于，所述第一偏压产生结构包括两对PMOS偏置管和一对NMOS偏置管；
9.根据权利要求8所述的基准源，其特征在于，所述第二偏压产生结构包括PMOS偏置电流镜、一对双极型偏置管和偏置电阻；
10.根据权利要求9所述的基准源，其特征在于，所述电流源结构包括第一PTAT电流源、第二PTAT电流源和PTAT修调电流源；
...【技术特征摘要】
1.一种温漂曲率可调节的基准源，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基准源，其特征在于，所述基准源电路为电压型基准源电路或电流型基准源电路；
3.根据权利要求2所述的基准源，其特征在于，所述电流型基准源电路包括第二放大器、一对反馈pmos管、镜像pmos管、一对旁路电阻、第二分压电阻、第三分压电阻、第三双极型晶体管和第四双极型晶体管；
4.根据权利要求1所述的基准源，其特征在于，所述温度曲率补偿电路包括负温度系数电流镜、可调负温度系数电流生成结构和零温度系数电流生成结构；
5.根据权利要求4所述的基准源，其特征在于，所述可调负温度系数电流生成结构包括一对负温度系数生成pmos管、一对负温度系数生成nmos管和ptat修调电流源；
6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪荔，刘银才，王汉卿，李雪民，
申请(专利权)人：苏州领慧立芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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