一种集成温度传感器制造技术

本发明专利技术涉及集成温度传感器设计技术领域，具体公开一种集成温度传感器，包括：传感器主体单元，包括电流镜、第一NPN管、第二NPN管、第一电阻和第二电阻，所述传感器主体单元用于产生PTAT电压；驱动单元，与所述传感器主体单元电连接，用于增加所述PTAT电压的驱动能力。本发明专利技术通过驱动单元配合传感器主体单元工作，增加了PTAT电压的驱动能力，解决了常规集成温度传感器的PTAT电压节点灌电流和拉电流的能力的问题，实现了对温度精确和稳定的采样。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成温度传感器设计，具体涉及一种集成温度传感器。

技术介绍

1、集成温度传感器通过两个集成三极管产生的基射极压差在一个集成电阻上产生ptat电流，ptat电流流过另一个集成电阻产生和温度正线性相关的ptat电压，然后adc采样ptat电压通过内部编码得到相应此刻的温度值。集成温度传感器由于体积小、重量轻、测量温度精确，而具有广泛的应用前景。

2、然而，因为设计时通常ptat电流很小，ptat电压节点几乎没有灌电流和拉电流的能力，在实际应用中，常规的集成温度传感器是无法直接通过adc采样的，需要辅助的驱动电路来配合完成采样工作。现有的驱动电路一种是通过增大集成电阻来实现，该方法会占用较大的面积；另一种是通过复杂的逻辑控制实现采样，造成工作电路的稳定性下降，且增加了逻辑控制的软硬件开销。

3、基于这一技术背景，本专利技术研究了一种集成温度传感器。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本专利技术提出一种集成温度传感器，通过驱动单元配合传感器主体单元工作，增加了ptat电压的驱本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成温度传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述电压转换电路包括两对转换NMOS管、两个转换PMOS管和第四电阻；

3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述两个转换PMOS管中的第一个PMOS管的源极与第二个PMOS管的漏极电连接，第二个PMOS管的源极与电源电连接；

4.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述正反馈电路包括一对镜像PMOS管、一对正反馈NMOS管、分压PMOS管和分压NMOS管；

5.根据权利要求4所述的传感器，其特征在于，所述负反馈电路包括第一负反馈NMOS管、第...

【技术特征摘要】

1.一种集成温度传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述电压转换电路包括两对转换nmos管、两个转换pmos管和第四电阻；

3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述两个转换pmos管中的第一个pmos管的源极与第二个pmos管的漏极电连接，第二个pmos管的源极与电源电连接；

4.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述正反馈电路包括一对镜像pmos管、一对正反馈nmos管、...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝报田，秦鹏，王汉卿，刘银才，
申请(专利权)人：苏州领慧立芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：