【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉电压检测，具体涉及一种低静态功耗快速高低电压检测电路及方法。
技术介绍
1、图1所示为一种常用的高低电压检测电路，vsense为待检测电压，电阻rf1、rf2组成一组分压器使得反馈电压vfb正比于待检测电压，反馈电压vfb的计算公式为：vfb=rf2/(rf1+rf2)* vsense。将反馈电压vfb与一基准电压vref通过比较器comp1进行比较从而产生逻辑信号high。当vfb>vref时high为高电平，即表示vsense>vref*(rf1+rf2)/rf2，以此来判断何时vsense为高电压。图2为该常用的高低电压检测电路的波形图，当待检测电压vsense跳变时，由于分压器反馈点vfb上存在寄生电容，使得反馈电压vfb变化速率存在一定的延迟，同时由于比较器存在延时，td，使得vsense跳变沿到逻辑信号high翻转沿之间存在一定的延时，一般该延迟会大于10ns。同时由于使用了分压器rf1、rf2和比较器comp1，一般该结构的静态电流会大于10ua。
2、基于这一技术背景，本专利技术研究了一种低静态功耗快速高低电压检测电路及方法。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提出一种低静态功耗快速高低电压检测电路及方法，该检测电路结构简单，不使用电阻分压器和比较器，整体静态电流不大于1.5ua，高电压检测翻转延迟不大于2ns，低电压检测翻转延迟不大于10ns，实现了低静态功耗快速高低电压检测功能。
2、为了实现上述目的
3、齐纳管，输出端与待检测电压电连接；
4、高压nmos管，漏极与所述齐纳管的输入端电连接，栅极与电源电连接；
5、正反馈环路单元，包括第一正反馈nmos管和第二正反馈nmos管，所述第一正反馈nmos管栅极、第二正反馈nmos管漏极同时与所述高压nmos管源极电连接；
6、第一电阻，一端同时与所述第一正反馈nmos管源极、第二正反馈nmos管源极电连接，另一端与地电连接；
7、斯密特反相器，输入与所述第一正反馈nmos管漏极电连接，输出作为检测电路输出端。
8、本专利技术第二方面提供一种在上述的检测电路中进行的低静态功耗快速高低电压检测方法，包括：
9、当待检测电压由低电平跳变成高电平时，通过齐纳管与高压nmos管配合工作，使得所述高压nmos管从线性区进入饱和区，且将其源极电位拉高，之后通过正反馈环路单元和第一电阻配合工作，使得第一正反馈nmos管进入线性区并将其漏极电位拉低，进而斯密特反相器输出跳变成高电平；
10、当待检测电压由高电平跳变成低电平时，通过齐纳管与高压nmos管配合工作，使得所述高压nmos管从饱和区进入线性区，且将其源极电位拉低，之后通过正反馈环路单元和第一电阻配合工作，使得第一正反馈nmos管被完全关断，进而斯密特反相器输出跳变成低电平。
11、本专利技术的有益效果包括：
12、（1）本专利技术提出的低静态功耗快速高低电压检测电路，结构简单，不使用电阻分压器和比较器，整体静态电流不大于1.5ua，高电压检测翻转延迟不大于2ns，低电压检测翻转延迟不大于10ns，实现了低静态功耗快速高低电压检测功能。
13、（2）本专利技术提出的低静态功耗快速高低电压检测电路，通过齐纳管、高压nmos管、正反馈环路单元，以及nmos偏置单元和pmos偏置单元，在极低功耗下完成了高低电压的快速检测。
14、本专利技术的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种低静态功耗快速高低电压检测电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的检测电路，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述第一偏置PMOS管和第二偏置PMOS管的尺寸相同，两者形成PMOS电流镜结构；
6.一种在权利要求1-5中任意一项所述的检测电路中进行的低静态功耗快速高低电压检测方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，当待检测电压由低电平跳变成高电平时，通过齐纳管与高压NMOS管配合工作，使得所述高压NMOS管从线性区进入饱和区，且将其源极电位拉高包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过正反馈环路单元和第一电阻配合工作，使得第一正反馈NMOS管进入线性区并将其漏极电位拉低，进而斯密特反相器输出逻辑信号跳变成高电平包括：
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，当待检测电压由高电平跳变成
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，通过正反馈环路单元和第一电阻配合工作，使得第一正反馈NMOS管被完全关断，进而斯密特反相器输出逻辑信号跳变成低电平包括：
...【技术特征摘要】
1.一种低静态功耗快速高低电压检测电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的检测电路，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述第一偏置pmos管和第二偏置pmos管的尺寸相同，两者形成pmos电流镜结构；
6.一种在权利要求1-5中任意一项所述的检测电路中进行的低静态功耗快速高低电压检测方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，当待检测电压由低电平跳变成高电平时，通过齐纳管与高压nmos管...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晴，刘兆哲，刘银才，
申请(专利权)人：苏州领慧立芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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