【技术实现步骤摘要】
本申请涉及功率器件功率循环测试领域，具体而言，涉及一种功率器件的功率循环测试方法。
技术介绍
1、功率循环试验为评估器件封装可靠性的主要试验方法。在碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(sic mosfet)功率循环测试中，由正负栅极应力交替来控制器件开关，让芯片间歇流过电流产生间隙发热功率，从而使芯片温度波动。在功率循环的温度波动过程中，由于封装材料间的热膨胀系数不匹配会导致封装级退化。另一方面，sic mosfet栅氧界面缺陷密度高，存在严重的可靠性问题，正负栅极应力交替极易导致阈值电压漂移，引起沟道电阻和导通电阻的变化，使sic mosfet的封装退化特征更加复杂。但是传统的功率循环测试评估方法无法准确表征功率器件的封装退化，容易产生误判。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种功率器件的功率循环测试方法，以至少解决传统的功率循环测试评估方法无法准确表征功率器件的封装退化，容易产生误判的问题。
2、为了实现所述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种功率器件的功率循环...
【技术保护点】
1.一种功率器件的功率循环测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述初始阈值电压和所述测试阈值电压计算得到阈值电压变化率，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述阈值电压变化率的大小判断所述待测功率器件是否老化失效，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一预设变化率为4%~6%。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述阈值电压变化率的大小判断所述待测功率器件是否老化失效之后，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，...
【技术特征摘要】
1.一种功率器件的功率循环测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述初始阈值电压和所述测试阈值电压计算得到阈值电压变化率，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述阈值电压变化率的大小判断所述待测功率器件是否老化失效，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一预设变化率为4%~6%。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述阈值电压变化率的大小判断所述待测功率器件是否老化失效之后，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李洪基，金锐，陈中圆，王松华，
申请(专利权)人：北京怀柔实验室，
类型：发明
国别省市：
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