一种自动切换降压电路制造技术

一种自动切换降压电路，其中两个输入端PB8和PB9分别通过两个限流电阻R10、R11连接三极管Q4和Q3基极（B），三极管Q4和Q3集电极（C）分别连接MOS管Q6和Q5的G极，MOS管Q6和Q5的D极分别通过二极管D2和D1连接插座J1，并同时引出接线与发光二极管H1连接。通过使用本电路自动切换（高降低）可以减少负载损坏，提高使用效率，使用时电流会逐渐变小，可以通过程序来控制导通和切换时间，不会因为电流、电压高低而损坏元器件；通过自动切换电路的设计，不会烧坏电子元器件，也不会因为元器件损坏而反串损耗电路。路。路。

【技术实现步骤摘要】
一种自动切换降压电路


[0001]本专利技术涉及电源切换设备领域，具体涉及一种自动切换降压电路。

技术介绍

[0002]随着电力电子产品的需求和半导体技术的发展，集成电路(IC)在电力电子产品中的重要性越来越高，在开关电源等领域的应用也越来越广泛。降压(BUCK)型直流
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直流(DC
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DC)转换器不断追求高性能，高效率及低功耗。
[0003]在进行交流切换、直流切换或电源供配电设备切换时，由于负载电压高，电流大等因素，容易发生因为长时间工作而引起的设备发热，进而导致电子元器件损耗等问题的发生，导致设备寿命减少，无形中提高了维修或更换的成本，因此需要设计一种高低电平切换工作电路，减少能耗损耗。

技术实现思路

[0004]本专利技术针对上述
技术介绍
中存在的问题，提出一种自动切换降压电路，通过单片机控制器延时导通时间，实现瞬间切换电路，提高使用寿命，避免长时间工作导致的发热，避免电子元器件损耗，减少能耗损耗。
[0005]一种自动切换降压电路，包括二极管、三极管、MOS管和插座，其特征在于：两个输入端PB8和PB9通过电阻分别连接三极管Q4（B极）和Q3（B极），三极管Q4（C极）和Q3（C极）分别连接MOS管Q6（G极）和Q5（G极），MOS管Q6（D极）和Q5（D极）分别通过二极管D2和D1连接插座J1，并同时引出接线与发光二极管H1连接。
[0006]进一步地，输入端PB8和PB9与三极管Q4和Q3的B极之间分别接一个电阻，进行限流作用。<br/>[0007]进一步地，三极管Q4和Q3的C极与MOS管Q6和Q5的S极之间分别串联电阻。
[0008]进一步地，串联电阻的阻值大于2K。
[0009]进一步地，三极管Q4和Q3的C极引出接线与MOS管Q6（和Q5的G极引脚连接，其中1
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3引脚的接线并联连接然后同时+24V电源。
[0010]进一步地，MOS管Q6和Q5的5
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8引脚连接至二极管D2和D1。
[0011]进一步地，二极管D2和D1连接至插座J1的第1脚。
[0012]进一步地，插座J1的第1脚连接电容并接地，第二脚接地。
[0013]进一步地，发光二极管H1的输入端与二极管D2和D1之间设有电阻，输出端接地。
[0014]本专利技术达到的有益效果为：通过使用本电路可以减少负载损坏，提高使用效率，使用时电流会逐渐变小，可以通过程序来控制导通和切换时间，不会因为电流、电压高低而损坏元器件；通过自动切换电路的设计，不会烧坏电子元器件，也不会因为元器件损坏而反串损耗电路。
附图说明
[0015]图1为本专利技术实施例中所述的自动切换降压电路的示意图。
具体实施方式
[0016]下面结合说明书附图对本专利技术的技术方案做进一步的详细说明。
[0017]参照图1，一种自动切换降压电路，其中，两个输入端PB8和PB9分别通过电阻连接三极管Q4（B极）和Q3（B极），三极管Q4和Q3分别连接MOS管Q6和Q5，MOS管Q6和Q5分别通过二极管D2和D1连接插座J1，并同时引出接线与发光二极管H1连接。
[0018]具体的，输入端PB8和PB9与三极管Q4和Q3之间分别连接电阻，进行限流作用。三极管Q4和Q3与MOS管Q6和Q5之间分别串联电阻，串联电阻的阻值大于2K。三极管Q4和Q3的C极引出接线与MOS管Q6和Q5的1
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4引脚连接，其中1
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3引脚的接线并联连接然后串联电阻，同时接地。MOS管Q6和Q5的5
‑
8引脚连接至二极管D2和D1。二极管D2和D1连接至插座J1的第1脚。插座J1的第1脚连接电容并接地，第二脚接地。发光二极管H1的输入端与二极管D2和D1之间设有电阻，输出端接地。
[0019]本电路实际运行流程为：（1）PB8给一个信号（高电平），让Q4导通，R11起到限流作用。为了防止电流过大，击穿Q4，所以要加入一个电阻R9，R9组织尽量大于2K，因为阻值大电流小不会导致Q4导通时把+24V下拉到地，使其工作异常。Q6第4脚被下拉到底，使其Q6(MOS管)导通，电压（电流）经过D2流向J1第1脚，负载工作。
[0020]（2）负载工作8秒之后，PB9开始输入一个信号（高电平），使Q3导通，R8起到限流作用。为了防止电流过大，击穿Q3，所以要加入一个电阻，R8阻值尽量大于2K，因为阻值大电流小不会导致Q3导通时把+24V下拉到地，使其工作异常。Q5第4脚被下拉到底，使其Q5(MOS管)导通，电压（电流）经过D1流向J1第1脚，负载工作。
[0021]（3）R12是给H1起到限流作用，让H1不会因电流大而烧掉，C10用于去除杂波尖峰。
[0022]以上所述仅为本专利技术的较佳实施方式，本专利技术的保护范围并不以上述实施方式为限，但凡本领域普通技术人员根据本专利技术所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自动切换降压电路，包括二极管、三极管、MOS管和插座，其特征在于：两个输入端PB8和PB9分别通过通过两个限流电阻R10、R11连接三极管Q4和Q3基极，三极管Q4和Q3集电极分别连接MOS管Q6和Q5的G极，MOS管Q6和Q5的D极分别通过二极管D2和D1连接插座J1，并同时引出接线与发光二极管H1连接。2.根据权利要求1所述的一种自动切换降压电路，其特征在于：输入端PB8和PB9与三极管Q4和Q3之间分别串联电阻，进行限流作用。3.根据权利要求1所述的一种自动切换降压电路，其特征在于：三极管Q4和Q3的C极与MOS管Q6和Q5的S极之间分别串联电阻。4. 根据权利要求3所述的一种自动切换降压电路，其特征在于：串联电阻的阻值大于2K。5.根据权利要求1所述的一种自...

【专利技术属性】
技术研发人员：屠炳芳，任兴发，邵锋伟，吴勇，梁兴，
申请(专利权)人：月旭科技上海股份有限公司浙江月旭材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：