氧化镓结晶的制法制造技术

使含有Ga离子的水溶液处于温度400℃以上、压力22.1MPa以上的超临界状态，由此得到α－或β－Ga2O3结晶。结晶。结晶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化镓结晶的制法


[0001]本专利技术涉及氧化镓结晶的制法。

技术介绍

[0002]近年来，氧化镓(Ga2O3)作为半导体用材料备受瞩目。已知氧化镓具有α、β、γ、δ及ε这5个晶型，不过，其中，作为亚稳相的α－Ga2O3的带隙非常大，达到5.3eV，作为功率半导体用材料备受期待。例如，专利文献1中公开一种半导体装置，其具备：具有刚玉型结晶结构的基底基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、以及具有刚玉型结晶结构的绝缘膜，并记载了在蓝宝石基板上形成有α－Ga2O3膜作为半导体层的例子。另外，专利文献2中公开一种半导体装置，其具备：包含具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的n型半导体层、以具有六方晶的结晶结构的无机化合物为主成分的p型半导体层、以及电极。在该专利文献2的实施例中公开了：在c面蓝宝石基板上形成呈亚稳相的具有刚玉结构的α－Ga2O3膜作为n型半导体层，并形成具有六方晶的结晶结构的α－Rh2O3膜作为p型半导体层，制作二极管。另外，α－Ga2O3在荧光体中的应用也被期待。例如，如非专利文献1中记载那样，β－Ga2O3作为高性能的功率器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氧化镓结晶的制法，其中，使含有Ga离子的水溶液处于温度400℃以上且压力22.1MPa以上的超临界状态，由此得到α－Ga2O3结晶或β－Ga2O3结晶。2.根据权利要求1所述的氧化镓结晶的制法，其中，作为晶种基板，将蓝宝石基板浸渍于所述水溶液中。3.根据权利要求1或2所述的氧化镓结晶的制法，其中，所述水溶液包含碱金属离子。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川润，前田美穗，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：