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氧化镓结晶的制法制造技术
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文档序号:33702004
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使含有Ga离子的水溶液处于温度400℃以上、压力22.1MPa以上的超临界状态,由此得到α-或β-Ga2O3结晶。结晶。结晶。
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该专利属于日本碍子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日本碍子株式会社授权不得商用。
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