半导体膜制造技术

本发明专利技术提供一种α－Ga2O3系半导体膜，其能够明显地提高器件的成品率。该α－Ga2O3系半导体膜是：以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜。该半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θ

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体膜


[0001]本专利技术涉及α－Ga2O3系半导体膜。

技术介绍

[0002]近年来，氧化镓(Ga2O3)作为半导体用材料得到关注。已知：氧化镓具有α、β、γ、δ及ε这5种晶型，其中，作为亚稳相的α－Ga2O3的带隙非常大，高达5.3eV，作为功率半导体元件用材料而备受期待。
[0003]例如，专利文献1(日本特开2014－72533号公报)中公开一种半导体装置，其具备：具有刚玉型结晶结构的基底基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、以及具有刚玉型结晶结构的绝缘膜，并记载了在蓝宝石基板上形成α－Ga2O3膜而作为半导体层的例子。另外，专利文献2(日本特开2016－25256号公报)中公开一种半导体装置，其具备：包含具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的n型半导体层、以具有六方晶的结晶结构的无机化合物为主成分的p型半导体层、以及电极。该专利文献2的实施例中公开如下内容，即，在c面蓝宝石基板上形成亚稳相、即具有刚玉结构的α－Ga2O3膜作为n型半导体层并形成具有六方晶的结晶结构的α－Rh2O3膜作为p型半导体层，制作二极管。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体膜，其是以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜，所述半导体膜的特征在于，所述半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θ
max
和最小值θ
min
满足θ
max
－θ
min
≤0.30
°
的关系，所述偏角定义为：沿着所述半导体膜的大致法线方向取向的结晶轴相对于所述半导体膜的膜面的法线的倾斜角度，所述外周点A、B、C及D以如下方式进行确定：i)将所述外周点A及所述外周点C连结的直线和将所述外周点B及所述外周点D连结的直线在所述中心点X处呈直角相交；且ii)所述外周点A、B、C及D距所述半导体膜的外缘的各最短距离为所述半导体膜的半径的1/5。2.根据权利要求1所述的半导体膜，其特征在于，当将所述中心点X处的偏角设为θ<...

【专利技术属性】
技术研发人员：福井宏史，渡边守道，吉川润，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：