一种用于生长氧化镓晶体的籽晶杆制造技术

本实用新型专利技术公开一种用于生长氧化镓晶体的籽晶杆，其包括中心杆以及环绕设置在所述中心杆周边的遮挡片组件。本实用新型专利技术创新性的提出了在中心杆上安装遮挡片组件来吸附晶体生长过程中的氧化镓挥发物，可以有效的吸附从保温材料的内部通腔向上扩散以及向下飘落的氧化镓挥发物，降低氧化镓挥发物附着到晶体生长固液界面和观察窗上的概率，提高氧化镓单晶生长的成功率和晶体生长的实时观测效果。长的成功率和晶体生长的实时观测效果。长的成功率和晶体生长的实时观测效果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于生长氧化镓晶体的籽晶杆


[0001]本技术涉及氧化镓晶体
，特别涉及一种用于生长氧化镓晶体的籽晶杆。

技术介绍

[0002]β
‑
Ga2O3(氧化镓)是一种直接带隙宽禁带半导体材料，禁带宽度约为4.8～4.9eV。它具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度快、热导率高、击穿场强高、化学性质稳定等诸多优点，在高温、高频、大功率电力电子器件领域有着广泛的应用前景。此外还可用于LED芯片，日盲紫外探测、各种传感器元件及摄像元件等。
[0003]目前，批量制备大尺寸氧化镓晶体主要采用导模法制备技术。导模法是一种成熟的单晶制备技术，尤其广泛应用于蓝宝石单晶等高温晶体的生长。相比之下氧化镓生长存在特殊性：在生长过程中，氧化镓会发生如下的分解反应：
[0004][0005][0006][0007]GaO、Ga2O和Ga等产物易于挥发，挥发物在炉膛内部自由扩散，一旦附着在模具口附近的晶体生长固液界面处，就会导致杂晶等缺陷的形成，严重影响生长出来晶体质量；此外，四处飘散的挥发物如果附着在观察窗上，还会影响晶体生长人员对晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于生长氧化镓晶体的籽晶杆，其特征在于，包括中心杆以及环绕设置在所述中心杆周边的遮挡片组件。2.根据权利要求1所述用于生长氧化镓晶体的籽晶杆，其特征在于，所述中心杆上设置有支撑杆组件，所述遮挡片组件通过所述支撑杆组件环绕设置在所述中心杆周边。3.根据权利要求2所述用于生长氧化镓晶体的籽晶杆，其特征在于，所述支撑杆组件包括垂直设置在所述中心杆上的第一上支撑杆和第二上支撑杆，垂直设置在所述中心杆上且位于所述第一上支撑杆下方的第一下支撑杆，垂直设置在所述中心杆上且位于所述第二上支撑杆下方的第二下支撑杆；所述第一上支撑杆和第二上支撑杆以所述中心杆为对称轴对称设置，所述第一下支撑杆和第二下支撑杆以所述中心杆为对称轴对称设置。4.根据权利要求3所述用于生长氧化镓晶体的籽晶杆，其特征在于，所述遮挡片组件包括上遮挡片和下遮挡片，所述上遮挡片设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐红基，陈端阳，
申请(专利权)人：杭州富加镓业科技有限公司，
类型：新型
国别省市：