一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构及生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构及生长装置。所述热场结构用于保温形成热场，所述热场结构由至少一层保温层层叠而成，所述保温层由若干块子保温层拼接而成，所述若干块为两块以上的自然数；所述热场结构的中心沿轴向方向设置有贯穿上下端面的通孔。本实用新型专利技术热场结构在高度上采用分层式堆叠，可以有效释放高温下的热应力，解决热场结构不受控开裂的问题。且所述保温层由若干块子保温层拼接而成，其采用拼接的方式，可以进一步释放高温下的热应力，有效避免热场结构不受控开裂。受控开裂。受控开裂。

【技术实现步骤摘要】
一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构及生长装置


[0001]本技术涉及人工晶体
，特别涉及一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构及生长装置。

技术介绍

[0002]β
‑
Ga2O3(氧化镓)是一种直接带隙宽禁带半导体材料，禁带宽度约为4.8～4.9eV。它具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度快、热导率高、击穿场强高、化学性质稳定等诸多优点，在高温、高频、大功率电力电子器件领域有着广泛的应用前景。此外还可用于LED芯片，日盲紫外探测、各种传感器元件及摄像元件等。
[0003]目前，批量制备大尺寸氧化镓晶体主要采用导模法制备技术。导模法是一种成熟的单晶制备技术，尤其广泛应用于蓝宝石单晶等高温晶体的生长。相比之下氧化镓生长存在特殊性：在生长过程中，氧化镓会发生如下的分解反应：
[0004][0005][0006][0007]GaO、Ga2O和Ga等产物易于挥发，并附着在晶体表面，影响晶体质量；此外，还会对贵金属铱坩埚及模具造成严重腐蚀，影响后续生长稳定性。随着生长晶体尺寸的不断增大，坩埚容积及熔体体积增多，这一分解现象更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构，其特征在于，所述热场结构用于保温形成热场，所述热场结构由至少一层保温层层叠而成，所述保温层由若干块子保温层拼接而成，所述若干块为两块以上的自然数；所述热场结构的中心沿轴向方向设置有贯穿上下端面的通孔。2.根据权利要求1所述的导模法生长氧化镓晶体的热场结构，其特征在于，所述保温层由若干块子保温层通过子母扣形式拼接而成。3.根据权利要求1所述的导模法生长氧化镓晶体的热场结构，其特征在于，所述保温层由2～8块子保温层拼接而成。4.根据权利要求1所述的导模法生长氧化镓晶体的热场结构，其特征在于，所述保温层由2～4块子保温层通过子母扣形式拼接而成。5.根据权利要求1所述的导模法生长氧化镓晶体的热场结构，其特征在于，所述热场结构由...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐红基，赛青林，
申请(专利权)人：杭州富加镓业科技有限公司，
类型：新型
国别省市：