【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置和包括其的存储器系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于和要求于2020年12月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0166969的优先权，该申请的公开内容以引用方式全部并入本文中。
[0003]本专利技术构思涉及一种非易失性存储器装置和包括非易失性存储器装置的存储器系统。更具体地，本专利技术构思涉及一种包括彼此键合的两个结构的三维(3D)非易失性存储器装置和包括该3D非易失性存储器装置的存储器系统。
技术介绍
[0004]消费者需要具有高性能、小尺寸和低成本的非易失性存储器装置。因此，已经提出了其中多个存储器单元竖直地布置的3D非易失性存储器装置以实现高度集成的非易失性存储器装置。另外，已经提出了这样的非易失性存储器装置：其具有通过将第一结构键合到第二结构而形成的减小的平面面积，其中，通过在第一衬底上形成非易失性存储器装置的一部分来形成第一结构，并且通过在第二衬底上形成非易失性存储器装置的另一部分来形成第二...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器装置，包括：第一结构，所述第一结构包括第一衬底、所述第一衬底上的外围电路、所述第一衬底和所述外围电路上的第一绝缘结构、所述第一绝缘结构上的多个第一键合焊盘、以及位于所述第一绝缘结构中并且连接到所述外围电路和所述多个第一键合焊盘的第一互连结构；以及第二结构，其键合到所述第一结构，所述第二结构包括低电阻导电层、所述低电阻导电层上的公共源极线层、包括交替地堆叠在所述公共源极线层上方的多个栅极层和多个层间绝缘层的堆叠结构、穿过所述堆叠结构的单元区域并且接触所述公共源极线层的多个沟道结构、穿过所述堆叠结构的台阶区域并且接触所述公共源极线层的虚设沟道结构、所述堆叠结构上的第二绝缘结构、所述第二绝缘结构上的多个第二键合焊盘、以及所述第二绝缘结构中的第二互连结构，所述第二互连结构连接到所述多个栅极层、所述多个沟道结构、所述虚设沟道结构和所述多个第二键合焊盘，所述多个第二键合焊盘分别接触所述多个第一键合焊盘，并且所述堆叠结构的台阶区域位于所述堆叠结构的单元区域的一侧，并且具有台阶形状。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述虚设沟道结构通过所述第二互连结构、所述多个第二键合焊盘、所述多个第一键合焊盘和所述第一互连结构将所述公共源极线层连接到所述外围电路。3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述低电阻导电层的材料比所述公共源极线层的材料具有更低的电阻率。4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述低电阻导电层包括金属，并且所述公共源极线层包括多晶硅。5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述虚设沟道结构包括导电层和绝缘层，所述导电层接触所述公共源极线层，并且所述绝缘层位于所述导电层与所述堆叠结构的台阶区域之间。6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中，所述导电层包括多晶硅。7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：下导电层，其位于所述公共源极线层与所述堆叠结构之间。8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中，所述多个沟道结构中的每一个包括沟道层和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述沟道层与所述堆叠结构的单元区域之间，并且所述下导电层穿过所述栅极绝缘层，并且接触所述沟道层。9.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中，所述栅极绝缘层还在所述公共源极线层与所述沟道层之间延伸。10.一种非易失性存储器装置，包括：第一结构，所述第一结构包括第一衬底、所述第一衬底上的外围电路、所述第一衬底和所述外围电路上的第一绝缘结构、所述第一绝缘结构上的多个第一键合焊盘、以及位于所
述第一绝缘结构中并且连接到所述外围电路和所述多个第一键合焊盘的第一互连结构；以及第二结构，其键合到所述第一结构，所述第二结构包括低电阻导电层、所述低电阻导电层上的公共源极线层、包括交替地堆叠在所述公共源极线层上方的多个栅极层和多个层间绝缘层的堆叠结构、穿过所述堆叠结构的单元区域并且接触所述公共源极线层的多个沟道结构、穿过所述堆叠结构并且在第一方向上被拉长的字线切割结构、穿过所述堆叠结构的虚设字线切割结构、所述堆叠结构上的第二绝缘结构、所述第二绝缘结构上的多个第二键合焊盘、以及所述第二绝缘结构中的第二互连结构，所述第二互连结构连接到所述多个栅极层、所述多个沟道结构、所述虚设字线...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔茂林，成政泰，尹尚希，全祐用，崔峻荣，黄允照，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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