温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种非易失性存储器装置包括第一结构和键合到第一结构的第二结构。第二结构包括：低电阻导电层；公共源极线层，其位于低电阻导电层上；堆叠结构，其位于公共源极线层上方；多个沟道结构，其穿过堆叠结构的单元区域，并且接触公共源极线层；虚设沟道结构，其穿...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。