一种基片曝光方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本申请提供了一种基片曝光方法、装置、电子设备及存储介质，基片曝光方法包括：基于待曝光的目标基片中的标记点，确定目标基片的水平位置偏移信息；确定目标基片中每个预设曝光区域的实际水平位置信息；基于采集到的任一预设曝光区域与曝光组件之间的像平面的位置信息，确定该预设曝光区域是否满足曝光条件；若满足，则对目标基片的该预设曝光区域进行曝光处理。本申请在曝光组件水平对准基片上任一预设曝光区域的基础上，还对该预设曝光区域上形成的像平面进行调整，使得该预设曝光区域内的像平面满足曝光条件，实现了针对非标准厚度规格的基片中任一预设曝光区域的准确曝光，在提高对基片曝光的通用性的同时，可以提升对基片的曝光质量。的曝光质量。的曝光质量。

【技术实现步骤摘要】
一种基片曝光方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本申请涉及芯片生成
，尤其是涉及一种基片曝光方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]随着科学技术的进步和科技的飞速发展，当今社会对智能芯片的应用频率越来越广大，因此，对芯片的质量、体积、性能、功能、寿命等方面要求也越来越高，芯片的高要求，导致对生产芯片所使用的半导体工艺的要求也越来越复杂。
[0003]在半导体工艺中，曝光环节产生图形的质量直接决定着芯片是否可用。
[0004]现有技术中，传统的芯片曝光工艺需要生成芯片所使用到的基片需要满足标准厚度，才能达到良好的曝光效果，而对于非标准厚度规格的基片的曝光质量较差。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种基片曝光方法、装置、电子设备及存储介质，本申请实现了针对非标准厚度规格的基片中任一预设曝光区域的准确曝光，在提高对基片曝光的通用性的同时，可以提升对基片的曝光质量。
[0006]本申请实施例提供了一种基片曝光方法，所述基片曝光方法包括：
[0007]基于待曝光的目标基片中的标记点，确定所述目标基片的水平位置偏移信息；
[0008]基于所述目标基片的各个预设曝光区域的布局信息和水平位置偏移信息，确定所述目标基片中每个预设曝光区域的实际水平位置信息；
[0009]针对所述目标基片的任一预设曝光区域，将所述目标基片的该预设曝光区域从所述实际水平位置信息对应的实际水平位置处移动至曝光组件对应的曝光位置处；
[0010]基于采集到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的像平面的位置信息，确定该预设曝光区域是否满足曝光条件；
[0011]若满足，则对所述目标基片的该预设曝光区域进行曝光处理。
[0012]进一步的，所述像平面的位置信息包括所述像平面的垂直距离、所述像平面的横向偏移角度以及所述像平面的纵向偏移角度，在确定所述基于采集到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的像平面的位置信息满足以下步骤时，确定该预设曝光区域满足曝光条件：
[0013]根据采集到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的像平面的垂直距离，确定所述垂直距离偏差在所述预设焦平面的所述预设焦深区间内；
[0014]根据采集到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的所述像平面的横向偏移角度，确定所述横向偏移角度在所述预设焦平面的预设横向偏移角度区间内；
[0015]根据采集到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的所述像平面的纵向偏移角度，确定所述纵向偏移角度在所述预设焦平面的预设纵向偏移角度区间内。
[0016]进一步的，所述基片曝光方法还包括：
[0017]若采集到的任一所述预设曝光区域与曝光组件之间的像平面的位置信息中的垂直距离偏差不在预设焦平面的预设焦深区间内，确定出满足预设焦深区间的目标垂直距离，并将目标基片移动至曝光组件的目标垂直距离处；
[0018]确定所述目标垂直距离处的所述预设曝光区域中像平面的横向偏移角度和纵向偏移角度是否满足曝光条件；
[0019]若满足，则对所述目标基片的该预设曝光区域进行曝光处理；
[0020]若不满足，则将所述目标基片的该预设曝光区域的像平面的横向偏移角度调整到预设焦平面的预设横向偏移角度区间以及将纵向偏移角度调整到预设纵向偏移角度区间。
[0021]进一步的，所述基片曝光方法还包括：
[0022]若采集到的任一所述预设曝光区域与曝光组件之间的像平面的位置信息中的横向偏移角度不在预设焦平面的预设横向偏移角度区间内，确定出满足横向偏移角度区间的目标横向偏移角度，并将目标基片横向沿所在方向旋转至目标横向偏移角度处；
[0023]确定所述目标横向偏移角度处的所述预设曝光区域中像平面的垂直距离和纵向偏移角度是否满足曝光条件；
[0024]若满足，则对所述目标基片的该预设曝光区域进行曝光处理；
[0025]若不满足，则将所述目标基片的该预设曝光区域的垂直距离偏差调整到预设焦平面的预设焦深区间以及将纵向偏移角度调整到预设纵向偏移角度区间。
[0026]进一步的，所述基片曝光方法还包括：
[0027]若采集到的任一所述预设曝光区域与曝光组件之间的像平面的位置信息中的纵向偏移角度不在预设焦平面的预设纵向偏移角度区间内，确定出满足纵向偏移角度区间的目标纵向偏移角度，并将目标基片纵向沿所在方向旋转至目标纵向偏移角度处；
[0028]确定所述目标纵向偏移角度处的所述预设曝光区域中像平面的垂直距离和横向偏移角度是否满足曝光条件；
[0029]若满足，则对所述目标基片的该预设曝光区域进行曝光处理；
[0030]若不满足，则将所述目标基片的该预设曝光区域的垂直距离偏差调整到预设焦平面的预设焦深区间以及将横向偏移角度调整到预设横向偏移角度区间。
[0031]进一步的，通过以下方式确定像平面的横向偏移角度以及所述像平面的纵向偏移角度：
[0032]获取目标基片的任一预设曝光区域内的多个标记点到曝光组件之间的多个距离，并将大于阈值距离的所述距离对应的标记点作为目标标记点，将多个所述目标标记点拟合成目标曲线；
[0033]将所述目标曲线与空间坐标横轴线之间的夹角确定为横向偏移角度；
[0034]将所述目标曲线与空间坐标纵轴线之间的夹角确定为纵向偏移角度。
[0035]本申请实施例还提供了一种基片曝光装置，所述基片曝光装置包括：基片曝光装置包括第一传感器、第二传感器、曝光组件、工作台、控制器；
[0036]所述第一传感器，用于采集待曝光的目标基片中的标记点的水平位置偏移信息，并将所述水平位置偏移信息发送至所述控制器；
[0037]所述控制器，用于基于所述目标基片的各个预设曝光区域的布局信息和水平位置偏移信息，确定所述目标基片中每个预设曝光区域的实际水平位置信息，并向所述工作台
下发移动指令；
[0038]所述工作台，用于针对所述目标基片的任一预设曝光区域，根据所述移动指令将所述目标基片的该预设曝光区域从所述实际水平位置信息对应的实际水平位置处移动至曝光组件对应的曝光位置处；
[0039]所述第二传感器，用于采集任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的像平面的位置信息，并将所述像平面的位置信息发送至所述控制器；
[0040]所述控制器，还用于基于接收到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的像平面的位置信息，确定该预设曝光区域是否满足曝光条件，并在确定满足时，对所述目标基片的该预设曝光区域进行曝光处理。
[0041]进一步的，所述像平面的位置信息包括所述像平面的垂直距离、所述像平面的横向偏移角度以及所述像平面的纵向偏移角度，所述控制器，具体用于：
[0042]根据采集到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的像平面的垂直距离，确定所述垂直距离偏差在所述预设焦平面的所述预设焦深区间内；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片曝光方法，其特征在于，所述基片曝光包括：基于待曝光的目标基片中的标记点，确定所述目标基片的水平位置偏移信息；基于所述目标基片的各个预设曝光区域的布局信息和水平位置偏移信息，确定所述目标基片中每个预设曝光区域的实际水平位置信息；针对所述目标基片的任一预设曝光区域，将所述目标基片的该预设曝光区域从所述实际水平位置信息对应的实际水平位置处移动至曝光组件对应的曝光位置处；基于采集到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的像平面的位置信息，确定该预设曝光区域是否满足曝光条件；若满足，则对所述目标基片的该预设曝光区域进行曝光处理。2.根据权利要求1所述基片曝光方法，其特征在于，所述像平面的位置信息包括所述像平面的垂直距离、所述像平面的横向偏移角度以及所述像平面的纵向偏移角度，在确定所述基于采集到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的像平面的位置信息满足以下步骤时，确定该预设曝光区域满足曝光条件：根据采集到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的像平面的垂直距离，确定垂直距离偏差在所述预设焦平面的所述预设焦深区间内；根据采集到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的所述像平面的横向偏移角度，确定所述横向偏移角度在所述预设焦平面的预设横向偏移角度区间内；根据采集到的任一所述预设曝光区域与所述曝光组件之间的所述像平面的纵向偏移角度，确定所述纵向偏移角度在所述预设焦平面的预设纵向偏移角度区间内。3.根据权利要求2所述基片曝光方法，其特征在于，所述基片曝光方法还包括：若采集到的任一所述预设曝光区域与曝光组件之间的像平面的位置信息中的垂直距离偏差不在预设焦平面的预设焦深区间内，确定出满足预设焦深区间的目标垂直距离，并将目标基片移动至曝光组件的目标垂直距离处；确定所述目标垂直距离处的所述预设曝光区域中像平面的横向偏移角度和纵向偏移角度是否满足曝光条件；若满足，则对所述目标基片的该预设曝光区域进行曝光处理；若不满足，则将所述目标基片的该预设曝光区域的像平面的横向偏移角度调整到预设焦平面的预设横向偏移角度区间以及将纵向偏移角度调整到预设纵向偏移角度区间。4.根据权利要求2所述基片曝光方法，其特征在于，所述基片曝光方法还包括：若采集到的任一所述预设曝光区域与曝光组件之间的像平面的位置信息中的横向偏移角度不在预设焦平面的预设横向偏移角度区间内，确定出满足横向偏移角度区间的目标横向偏移角度，并将目标基片横向沿所在方向旋转至目标横向偏移角度处；确定所述目标横向偏移角度处的所述预设曝光区域中像平面的垂直距离和纵向偏移角度是否满足曝光条件；若满足，则对所述目标基片的该预设曝光区域进行曝光处理；若不满足，则将所述目标基片的该预设曝光区域的垂直距离偏差调整到预设焦平面的预设焦深区间以及将纵向偏移角度调整到预设纵向偏移角度区间。5.根据权利要求2所述基片曝光方法，其特征在于，所述基片曝光方法还包括：若采集到的任一所述预设曝光区域与曝光组件之间的像平面的位置信息中的纵向偏
移角度不在预设焦平面的预设纵向偏移角度区间内，确定出满足纵向偏移角度区间的目标纵向偏移角...

【专利技术属性】
技术研发人员：高荣荣，王镇辉，付纯鹤，柏鳗晏，赵伟卫，
申请(专利权)人：北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：发明
国别省市：