包层材料制造技术

一种包层材料，其具有：第一层(1)，由纯铜或包含95.0质量％以上的Cu的第一Cu合金构成；以及第二层(2)，以1μm以上的厚度接合于第一层(1)的至少一个面，且由第二Cu合金构成，所述第二Cu合金为包含5.0质量％以上且45.0质量％以下的Ni的Cu－Ni合金，所述包层材料的相对磁导率为1.001以下。导率为1.001以下。导率为1.001以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包层材料


[0001]本专利技术涉及一种包层材料。

技术介绍

[0002]在通信设备、图像显示设备、摄像设备等搭载电子部件的电子设备中，搭载有散热板等散热构件。
[0003]对于搭载于电子设备的散热构件，要求高导热性、非磁性、机械强度、焊接性等。详细而言，对于散热构件而言，作为原本的特性，为了将来自电子部件的热向外部放出而要求高的导热性。此外，为了不对电子部件造成磁影响，对散热构件要求非磁性。此外，由于要求伴随电子设备的薄型化/轻量化的薄壁化，故对散热构件要求能够耐受薄壁化的拉伸强度等机械强度。而且，为了与构成电子设备的其他部件的接合，对散热构件要求焊接性。
[0004]专利文献1提出了用于应对这些要求的包层材料。专利文献1提出了由奥氏体不锈钢构成的层(SUS层)、由纯铜或铜合金构成的层(Cu层)、由奥氏体不锈钢构成的层(SUS层)依次层叠并接合而成的三层结构的包层材料。该包层材料通过芯材的Cu层来确保高的导热性。此外，该包层材料通过所选择的材料来确保包层材料的整体的非磁性。此外，通过设于芯材的正反侧的SUS层，确保机械强度和焊接性。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2019－31036号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的问题
[0009]专利文献1所公开的包层材料从非磁性/焊接性的观点考虑是优选的，但从导热性和薄壁化的观点考虑还存在改良的余地。例如，设于芯材的正反侧的SUS层的导热性比芯材的Cu层小。此外，就设于芯材的反正侧的SUS层而言，由于与芯材的Cu层的变形阻力之差，有时在进行包层轧制时SUS层的厚度容易变得不均匀，会形成厚度小的部分(薄壁部)和厚度大的部分(厚壁部)。因此，由于SUS层的薄壁部，有时芯材的Cu层会露出于包层材料的表面，因此不易进行包层材料整体的进一步的薄壁化。
[0010]鉴于上述问题，本专利技术的目的在于，提供一种不使用由奥氏体不锈钢构成的层(SUS层)且具有适于散热构件的特性的包层材料。
[0011]用于解决问题的方案
[0012]本专利技术的一个方面的包层材料具有：第一层，由纯铜或包含95.0质量％以上的Cu的第一Cu合金构成；以及第二层，以1μm以上的厚度接合于所述第一层的至少一个面，且由第二Cu合金构成，所述第二Cu合金为包含5.0质量％以上且45.0质量％以下的Ni的Cu－Ni合金、或者包含5.0质量％以上且30.0质量％以下的Ni和10.0质量％以上且30.0质量％以下的Zn的Cu－Ni－Zn合金中的任一种，所述包层材料的相对磁导率为1.001以下。
[0013]可以是，在上述的包层材料中，构成所述第一层的所述第一Cu合金包含按合计计5.0质量％以下的Si、Co、Sn、Zn、Mg、Fe、Ti、Zr、Cr、Al、P、Mn以及Ag中的至少一种。
[0014]优选的是，在上述的包层材料中，构成所述第一层的所述第一Cu合金包含5.0质量％以下的Zr。
[0015]优选的是，在上述的包层材料中，构成所述第一层的所述第一Cu合金包含按合计计5.0质量％以下的Cr和Zr。
[0016]可以是，在上述的包层材料中，构成所述第二层的所述Cu－Ni合金包含按合计计5.0质量％以下的Si、Co、Sn、Zn、Mg、Fe、Ti、Zr、Cr、Al、P、Mn以及Ag中的至少一种；或者构成所述第二层的所述Cu－Ni－Zn合金能够包含按合计计5.0质量％以下的Si、Co、Sn、Mg、Fe、Ti、Zr、Cr、Al、P、Mn以及Ag中的至少一种。
[0017]优选的是，在上述的包层材料中，具有由第三Cu合金构成的第三层，所述第三层以1μm以上的厚度接合于所述第一层的与接合有所述第二层的面相反侧的面，所述第三Cu合金为包含5.0质量％以上且45.0质量％以下的Ni的Cu－Ni合金、或者包含5.0质量％以上且30.0质量％以下的Ni和10.0质量％以上且30.0质量％以下的Zn的Cu－Ni－Zn合金中的任一种。
[0018]可以是，在上述的包层材料中，构成所述第三层的所述Cu－Ni合金包含按合计计5.0质量％以下的Si、Co、Sn、Zn、Mg、Fe、Ti、Zr、Cr、Al、P、Mn以及Ag中的至少一种；或者构成所述第三层的所述Cu－Ni－Zn合金能够包含按合计计5.0质量％以下的Si、Co、Sn、Mg、Fe、Ti、Zr、Cr、Al、P、Mn以及Ag中的至少一种。
[0019]专利技术效果
[0020]根据本专利技术，提供一种不使用由奥氏体不锈钢构成的层(SUS层)且具有适于散热构件的特性的包层材料。
附图说明
[0021]图1是表示本实施方式的二层结构的包层材料的示意图。
[0022]图2是表示本实施方式的三层结构的包层材料的示意图。
[0023]图3是表示评价焊接性的情况的示意图。
具体实施方式
[0024]以下，参照附图对本专利技术的包层材料的实施方式的例子进行说明。需要说明的是，本专利技术并不限定于这些示例，而是由权利要求书示出，意图包括与权利要求书等同的含义和范围内的所有变更。
[0025]图1所示的包层材料10是成为本专利技术的包层材料的一个实施方式的二层结构的示意图。图2所示的包层材料20是成为本专利技术的包层材料的一个实施方式的三层结构的包层材料20。包层材料10、20例如可以适合用作构成搭载于便携电话、平板终端、可穿戴终端、数码相机、个人计算机等电子设备的散热构件的原材料。此外，可以适合用作构成搭载于车辆的摄像机、搭载于各种传感器、控制装置等电子设备的散热构件的原材料。要求这样的电子设备小型且薄、轻量。而且，从高导热性、非磁性、机械强度、焊接性等观点考虑，对于这样的电子设备的散热构件所使用的包层材料10、20要求优异的特性。
[0026]构成包层材料10、20的第一层1由纯铜或包含95.0质量％以上的Cu的第一Cu合金构成。第一层1成为包层材料10、20的芯材，是主要用于确保高的导热性和机械强度的层。需要说明的是，在此所说的第一Cu合金是为了方便起见表示构成第一层1的Cu合金的术语。
[0027]构成包层材料10、20的第一层1的纯铜可以由99.0质量％以上的Cu和不可避免的杂质构成。在成为芯材的第一层1由99.0质量％以上的Cu和不可避免的杂质构成的情况下，包层材料10、20具有高导热性，为非磁性，由于适度的加工性而容易薄壁化，并且具有相应的机械强度(拉伸强度)。需要说明的是，就纯铜中可能会混入的小于1.0质量％的不可避免的杂质而言，例如，可列举出P、Ni、Si、Zn、Pb、Sn、Zr、Mg、Ag、As、Cr、Fe、Co。纯铜例如可以是UNS(Unified Numbering System：统一编号系统)中的C10100、C10200、C10300、C10400、C10500、C10700、C10800、C10910、C10920、C12000、C15500中的任一种。
[002本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种包层材料，其具有：第一层，由纯铜或包含95.0质量％以上的Cu的第一Cu合金构成；以及第二层，以1μm以上的厚度接合于所述第一层的至少一个面，且由第二Cu合金构成，所述第二Cu合金为包含5.0质量％以上且45.0质量％以下的Ni的Cu－Ni合金、或者包含5.0质量％以上且30.0质量％以下的Ni和10.0质量％以上且30.0质量％以下的Zn的Cu－Ni－Zn合金中的任一种，所述包层材料的相对磁导率为1.001以下。2.根据权利要求1所述的包层材料，其中，构成所述第一层的所述第一Cu合金包含按合计计5.0质量％以下的Si、Co、Sn、Zn、Mg、Fe、Ti、Zr、Cr、Al、P、Mn以及Ag中的至少一种。3.根据权利要求2所述的包层材料，其中，构成所述第一层的所述第一Cu合金包含5.0质量％以下的Zr。4.根据权利要求2所述的包层材料，其中，构成所述第一层的所述第一Cu合金包含按合计计5.0质量％以下的Cr和Zr。5.根据权利要求1至4中任一项所述的包层材料，其中，构成所述第二层的所述Cu－Ni合金包含按合计计5.0质量％以下的Si、Co、Sn、Zn、...

【专利技术属性】
技术研发人员：八木纪智，外木达也，山本佳纪，儿玉健二，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：