一种激光焊接用单头喷射头制造技术

本发明专利技术公开了一种激光焊接用单头喷射头，包括一喷射头主体，在其内部分别形成有一纵向落料通道、与该纵向落料通道相连通的一进料通道、及一纵向激光通道，且在该喷射头主体上形成有与进料通道相连通的一上料通道，在该喷射头主体上设置有一喷嘴；同时，在该喷射头主体上设置有一落料控制机构，该落料控制机构对应于进料通道与纵向落料通道连通位置处。该激光焊接用单头喷射头能控制锡球在喷射头主体内快速移动并将融化后的锡球有序喷出，锡球及喷射头不易磨损，有效提高焊接的效率与精确度，结构简单、体积小且运行稳定。体积小且运行稳定。体积小且运行稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种激光焊接用单头喷射头


[0001]本专利技术涉及半导体、电子元器件封装、及电子贴装设备
，尤其涉及一种激光焊接用单头喷射头。

技术介绍

[0002]现有的用于电路板、晶圆、芯片焊接设备主要有电烙铁、及吸焊机，电烙铁焊头大，焊接效率、及焊接精度很差，无法满足高精密产品焊接要求。
[0003]吸焊机主要是将锡球放置在一分离盘的边缘，通过马达带动分离盘按一定角度转动，依次将分离盘上的锡球转动至喷嘴处，然后采用吹气的方式将锡球从喷嘴处吹落至待焊接元件表面上，再通过激光加热使锡球融化，从而完成焊接。为了避免分离盘转动过程中，锡球发生移动，通常在分离盘边缘开设用于放置锡球的定位孔，同时还在分离盘上方该上一个盖板，这样，当马达带动转盘转动时，锡球一直处于定位孔内，从而带动锡球准确的转动至喷嘴处，在焊接时，由于分离盘一直处于转动的状态，在转动时分离盘与上方的盖板发生相对移动，导致分离盘、及锡球出现磨损的现象，导致锡球粒径改变，影响焊接精确度，同时，也经常需要更换分离盘，使用成本高。
[0004]因此，现有技术还缺乏一种不易损耗且焊接精度、及焊接效率高的焊接设备。

技术实现思路

[0005]针对上述不足，本专利技术的目的在于提供一种激光焊接用单头喷射头，该激光焊接用单头喷射头能控制锡球在喷射头主体内快速移动并将融化后的锡球有序喷出，锡球及喷射头不易磨损，有效提高焊接的效率与精确度，结构简单、体积小且运行稳定。
[0006]本专利技术为达到上述目的所采用的技术方案是：一种激光焊接用单头喷射头，包括一喷射头主体，在其内部分别形成有一纵向落料通道、与该纵向落料通道相连通的一进料通道、及一纵向激光通道，且在该喷射头主体上形成有与进料通道相连通的一上料通道，在该喷射头主体上设置有一喷嘴，所述纵向落料通道、纵向激光通道分别连接于该喷嘴；同时，在该喷射头主体上设置有一落料控制机构，该落料控制机构包括一落料控制气路、一通气通道、及一真空通道，所述落料控制气路、通气通道与真空通道分别连接于一第一电磁阀，所述落料控制气路连通于进料通道与纵向落料通道连通位置处，所述喷射头主体包括：
[0007]一下部：所述纵向落料通道形成于下部内，所述进料通道形成于下部的上端，所述喷嘴设置于下部下端；
[0008]一上部：其位于下部上方，所述通气通道、真空通道与上料通道均形成于上部；
[0009]一基块A：其位于上部与下部间，所述落料控制气路形成于基块A上。
[0010]作为本专利技术的进一步改进，所述落料控制机构还包括形成于基块A上并与进料通道相连通的一缓冲控制气路，该缓冲控制气路、真空通道与通气通道分别连接于一第二电磁阀，所述第二电磁设置于上部上。
[0011]作为本专利技术的进一步改进，所述落料控制机构还包括形成于基块A上并与上料通
道相连通的一吹气气路，该吹气气路与通气通道分别连接于一第三电磁阀，所述第三电磁阀设置于上部上。
[0012]作为本专利技术的进一步改进，所述落料控制气路具有对应于纵向落料通道与进料通道连通位置处的第一通气孔；所述缓冲控制气路具有对应于进料通道的一第二通气孔。
[0013]作为本专利技术的进一步改进，所述落料控制气路靠近第一通气孔的一端形成一第一弯折部，该第一弯折部的宽度由弯折处到第一通气孔处逐渐减小；所述缓冲控制气路靠近第二通气孔的一端形成一第二弯折部，该第二弯折部的宽度由弯折处到第二通气孔处逐渐减小。
[0014]作为本专利技术的进一步改进，所述喷射头主体还包括一基块B，其设置于基块A与下部间，所述进料通道形成于该基块B上，在进料通道上形成有与纵向落料通道相对应的一落料口，所述第一通气孔与该落料口连通，所述第二通气孔与靠近落料口的进料通道位置处相连通，所述纵向激光通道由上至下贯穿上部、基块A、基块B、及下部；所述基块B包括一上基块B、及位该上基块B下方的一下基块B，所述上料通道形成于上基块B，在下基块B上形成有位于进料通道下方的一下通道，其中，该下通道沿进料通道长度方向延伸并与落料口连通，且该下通道的宽度比进料通道的宽度小。
[0015]作为本专利技术的进一步改进，在上部上分别形成有连通第一电磁阀与落料控制气路的一第一连通孔、连通第二电磁阀与缓冲控制气路的一第二连通孔、及连通第三电磁阀与吹气通道的一第三连通孔；在上部上还设置有与上料通道连接的一上料管、及与纵向落料通道连接的一透镜。
[0016]作为本专利技术的进一步改进，在所述吹气气路上且位于上料通道下方形成有与上料通道下端配合的一上料堆积槽，该上料堆积槽的横截面具有椭圆结构，进料通道的端部延伸至该上料堆积槽下方并与上料堆积槽的长轴重合。
[0017]作为本专利技术的进一步改进，所述纵向激光通道与纵向落料通道之间形成的角度为2
°‑
15
°
。
[0018]作为本专利技术的进一步改进，在所述下部内形成有与纵向激光通道相连通的一气压检测通道。
[0019]作为本专利技术的进一步改进，所述喷嘴内形成有一腔体，在喷嘴下端形成有该腔体连通的一喷射口，其中，该喷射口的宽度小于锡球的直径。
[0020]本专利技术激光焊接用单头喷射头的有益效果为：通过在喷射头主体内设置由上料通道、进料通道、及纵向落料通道组成的供锡球移动的一连通通道，同时，通过设置落料控制机构，对锡球由进料通道落入纵向落料通道这个过程进行控制，实现锡球一个个依序、准确、快速的掉落，并在喷嘴内受热熔化后，从喷嘴处喷出，便于提高喷射焊接的精度与效率，锡球及喷射头不易磨损，结构简单，整体体积小；落料控制机构中，落料控制气路、通气通道与真空通道间相互隔离，仅通过第一电磁阀进行连接，不会出现漏气串气现象，利于落料控制机构对锡球的精准控制；且可以通过控制电磁阀的切换频率，快速的对锡球进行吸起和吹落，在进行大面积植球时，也可以快速完成；可以精确控制粒径为0.06mm以上的锡球进行植球，不会出现锡球堆积而漏植球的现象，加工成本低，运行稳定性好。
[0021]上述是专利技术技术方案的概述，以下结合附图与具体实施方式，对本专利技术做进一步说明。
附图说明
[0022]图1为本专利技术激光焊接用单头喷射头的爆炸图；
[0023]图2为本专利技术激光焊接用单头喷射头的结构示意图；
[0024]图3为图2中位置D的局部放大图；
[0025]图4为本专利技术激光焊接用单头喷射头一位置的剖视图；
[0026]图5为图4中位置E的局部放大图；
[0027]图6为本专利技术激光焊接用单头喷射头中喷射头主体在基块A以下部分的连接结构示意图；
[0028]图7为本专利技术激光焊接用单头喷射头中上部的内部结构示意图；
[0029]图8为本专利技术激光焊接用单头喷射头中基块A的底部结构示意图及位置F的局部放大图；
[0030]图9为本专利技术激光焊接用单头喷射头中基块B的结构示意图及位置G 的局部放大图；
[0031]图10为本专利技术激光焊接用单头喷射头中基块B的爆炸图；
[0032]图11为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光焊接用单头喷射头，包括一喷射头主体，在其内部分别形成有一纵向落料通道、与该纵向落料通道相连通的一进料通道、及一纵向激光通道，且在该喷射头主体上形成有与进料通道相连通的一上料通道，在该喷射头主体上设置有一喷嘴，所述纵向落料通道、纵向激光通道分别连接于该喷嘴；同时，在该喷射头主体上设置有一落料控制机构，该落料控制机构包括一落料控制气路、一通气通道、及一真空通道，所述落料控制气路、通气通道与真空通道分别连接于一第一电磁阀，所述落料控制气路连通于进料通道与纵向落料通道连通位置处，其特征在于，所述喷射头主体包括：一下部：所述纵向落料通道形成于下部内，所述进料通道形成于下部的上端，所述喷嘴设置于下部下端；一上部：其位于下部上方，所述通气通道、真空通道与上料通道均形成于上部；一基块A：其位于上部与下部间，所述落料控制气路形成于基块A上。2.根据权利要求1所述的激光焊接用单头喷射头，其特征在于，所述落料控制机构还包括形成于基块A上并与进料通道相连通的一缓冲控制气路，该缓冲控制气路、真空通道与通气通道分别连接于一第二电磁阀，所述第二电磁设置于上部上。3.根据权利要求2所述的激光焊接用单头喷射头，其特征在于，所述落料控制机构还包括形成于基块A上并与上料通道相连通的一吹气气路，该吹气气路与通气通道分别连接于一第三电磁阀，所述第三电磁阀设置于上部上。4.根据权利要求2所述的激光焊接用单头喷射头，其特征在于，所述落料控制气路具有对应于纵向落料通道与进料通道连通位置处的第一通气孔；所述缓冲控制气路具有对应于进料通道的一第二通气孔；所述落料控制气路靠近第一通气孔的一端形成一第一弯折部，该第一弯折部的宽度由弯折处到第一通气孔处逐渐减小；所述缓冲控制气路靠近第二通气孔的一端形成一第二弯折部，该第二弯折部的宽度由弯折处到第二通气孔处逐渐...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗后勇，吴朋，
申请(专利权)人：东莞市鸿骐电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：