半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体元件，其应用于物联网，该半导体元件主要包含一阵列区域设于基底上以及一圈虚置磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)图案环绕该阵列区域，其中虚置MTJ图案又包含多个MTJ以及一圈金属内连线图案重叠MTJ并环绕阵列区域。此外半导体元件另包含一间隙设于该阵列区域以及该圈虚置MTJ图案之间。圈虚置MTJ图案之间。圈虚置MTJ图案之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件


[0001]本专利技术涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种应用于物联网的磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)元件。

技术介绍

[0002]已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
[0003]上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electronic compass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anis本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于物联网的半导体元件，其特征在于，包含：基底，包含阵列区域设于其上；一圈虚置磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)，图案环绕该阵列区域，其中该虚置磁性隧穿结图案包含：多个磁性隧穿结；以及一圈金属内连线图案，重叠该磁性隧穿结并环绕该阵列区域。2.如权利要求1所述的半导体元件，另包含间隙，设于该阵列区域以及该圈虚置磁性隧穿结图案之间。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该圈金属内连线图案包含：第一金属内连线图案以及第二金属内连线图案，沿着第一方向延伸；以及第三金属内连线图案以及第四金属内连线图案，沿着第二方向延伸。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一金...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧琳，林俊贤，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：