半导体器件制造技术

一种半导体器件包括在第一方向上延伸的导电图案、在导电图案上的磁隧道结图案和在磁隧道结图案上的电容器。磁隧道结图案在导电图案和电容之间，磁隧道结图案连接到电容器，导电图案配置为向磁隧道结图案施加自旋轨道矩。电图案配置为向磁隧道结图案施加自旋轨道矩。电图案配置为向磁隧道结图案施加自旋轨道矩。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]专利技术构思的一些示例实施方式涉及半导体器件和操作其的方法，更具体地，涉及包括电容器的半导体存储器件和/或操作其的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件可以被分类为存储器件和逻辑器件中的任何一种。存储器件可以存储逻辑数据。典型地，半导体存储器件可以分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件在其电源中断时会丢失其存储的数据。例如，易失性存储器件可以包括动态随机存取存储(DRAM)器件和静态随机存取存储(SRAM)器件中的至少一种。非易失性存储器件即使在其电源中断时也可以保留其存储的数据。例如，非易失性存储器件可以包括可编程ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电EPROM(EEPROM)和闪存器件中的至少一种。
[0003]此外，已经开发出下一代半导体存储器件(例如，磁随机存取存储(MRAM)器件和/或相变随机存取存储(PRAM)器件)以提供高性能和/或低功耗的半导体存储器件。这些下一代半导体存储器件的材料可以具有根据施加到其的电流和/或电压而变化的电阻值，并且即使在电流和/或电压中断时也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：在第一方向上延伸的导电图案；在所述导电图案上的磁隧道结图案；以及在所述磁隧道结图案上的电容器，其中所述磁隧道结图案在所述导电图案和所述电容器之间，以及所述磁隧道结图案连接到所述电容器，并且所述导电图案配置为向所述磁隧道结图案施加自旋轨道矩。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电容器包括：底电极；顶电极；以及在所述底电极和所述顶电极之间的电介质层，其中所述磁隧道结图案连接到所述电容器的所述底电极。3.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：在所述磁隧道结图案和所述底电极之间的导电垫。4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：上导电线，在所述导电图案的一侧并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，其中所述上导电线连接到所述导电图案。5.根据权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：下导电线，与所述磁隧道结图案间隔开且所述导电图案在所述下导电线和所述磁隧道结图案之间；以及接触插塞，在所述导电图案和所述下导电线之间，其中所述接触插塞在所述第一方向上从所述磁隧道结图案偏移，并且所述上导电线在与所述第一方向相反的方向上从所述磁隧道结图案偏移。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述磁隧道结图案包括：自由磁性图案；参考磁性图案；以及在所述自由磁性图案和所述参考磁性图案之间的隧道势垒图案，其中所述自由磁性图案在所述磁道势垒图案和所述导电图案之间。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述自由磁性图案的磁化方向和所述参考磁性图案的磁化方向基本上垂直于所述自由磁性图案和所述导电图案之间的界面或基本上平行于所述自由磁性图案和所述导电图案之间的所述界面。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电图案包括重金属、掺有重金属的材料和拓扑绝缘体中的至少一种。9.一种半导体器件，包括：在衬底上的电容器；磁隧道结图案，在所述衬底和所述电容器之间并连接到所述电容器；以及导电图案，在所述衬底和所述磁隧道结图案之间，其中所述电容器包括：连接到所述磁隧道结图案的底电极，
覆盖所述底电极的顶电极，以及在所述底电极和所述顶电极之间的电介质层，其中所述导电图案具有在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸的条形。10.根据权利要求9所述的半导体器件，进一步包括：在所述导电图案的一侧的上导电线，其中所述导电图案具有第一侧壁和在所述第一方向上与所述第一侧壁相...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴志皓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：