温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种半导体元件，其应用于物联网，该半导体元件主要包含一阵列区域设于基底上以及一圈虚置磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)图案环绕该阵列区域，其中虚置MTJ图案又包含多个MTJ以及一圈金属内连...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。