半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统技术方案

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高三维存储器的稳定性。该制备方法包括：在衬底的一侧形成初始叠层结构，初始叠层结构包括交替叠置的栅替换层和初始栅介质层；形成沟道孔；在沟道孔内形成初始沟道结构，初始沟道结构包括依次设置的阻挡层和初始电荷存储层，其中，阻挡层与初始栅介质层在同一工艺条件下的刻蚀速率不同；去除初始栅介质层，以形成第一缝隙；通过第一缝隙对初始电荷存储层的目标部位进行绝缘处理，以使目标部位转化为隔离部；在第一缝隙内填充绝缘材料。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。以实现数据的读取和写入操作。以实现数据的读取和写入操作。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统


[0001]本公开涉及半导体芯片
，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备。

技术介绍

[0002]随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2D或者平面NAND闪存的存储密度接近上限。
[0003]为克服2D或者平面NAND闪存带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器(3D NAND)，通过将存储单元三维地布置在衬底之上来提高存储密度。
[0004]随着三维存储器中存储单元的叠层层数越来越高，存储单元之间的距离越来越小，现有的三维存储器的制备方法，会导致三维存储器的稳定性降低。

技术实现思路

[0005]本公开的实施例提供一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备，旨在提高三维存储器的稳定性。
[0006]为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
[0007]一方面，提供一种半导体结构的制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：在衬底的一侧形成初本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，在衬底的一侧形成初始叠层结构，所述初始叠层结构包括交替叠置的栅替换层和初始栅介质层；形成沟道孔，所述沟道孔贯穿所述初始叠层结构；在所述沟道孔内形成初始沟道结构，所述初始沟道结构包括依次设置于所述沟道孔内的阻挡层和初始电荷存储层，其中，所述阻挡层与所述初始栅介质层在同一工艺条件下的刻蚀速率不同；去除所述初始栅介质层，以形成第一缝隙；通过所述第一缝隙对所述初始电荷存储层的目标部位进行绝缘处理，以使所述目标部位转化为隔离部，其中，所述隔离部将所述初始电荷存储层分隔为多个电荷存储部，一个电荷存储部在垂直于所述初始沟道结构长度方向的方向上的投影至少覆盖一层所述栅替换层所在的区域的部分；在所述第一缝隙的至少部分空间内填充介质材料。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述初始叠层结构还包括：设置于所述初始栅介质层沿垂直于所述衬底方向的两侧的间隔层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述间隔层的材料与所述阻挡层的材料相同。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一缝隙内填充所述介质材料后，所述第一缝隙内形成有空气间隙。5.根据权利要求1至3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述通过所述第一缝隙对所述初始电荷存储层的目标部位进行绝缘处理，以使所述目标部位转化为隔离部的步骤，包括：采用氧化工艺，通过所述第一缝隙，对所述初始电荷存储层的所述目标部位进行氧化，以使所述目标部位转化为所述隔离部。6.根据权利要求1至3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述初始栅介质层包括氮碳化硅和多晶硅中的任意一种或两种...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎姗，杜小龙，高庭庭，刘小欣，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：