存储器及存储系统技术方案

本申请实施例提供一种存储器及存储系统，所述存储器包括：外围电路；存储区，位于所述外围电路的一侧；所述存储区包括多个存储阵列以及位于两个相邻的所述存储阵列之间的第一连接结构；其中，所述第一连接结构的两侧分别包括多个所述存储阵列；主导电线，从所述外围电路延伸至所述第一连接结构；所述主导电线的两端分别连接所述外围电路与所述第一连接结构；至少两条从导电线，分别连接所述第一连接结构，并在所述第一连接结构两侧的相互背离的方向延伸，连接对应的多个所述存储阵列。连接对应的多个所述存储阵列。连接对应的多个所述存储阵列。

【技术实现步骤摘要】
存储器及存储系统


[0001]本申请涉及但不限于半导体
，尤其涉及一种存储器及存储系统。

技术介绍

[0002]存储器通常包括设置有多个存储阵列的存储区和外围电路。其中，存储器中的存储阵列主要用于储存数据，而外围电路主要用于对存储区中的存储阵列的访问操作进行控制，例如，编程、读取或擦除等操作，以及为存储区内的存储阵列提供电信号。
[0003]随着半导体技术的发展，对存储器的容量的需求也随之增加。当存储器的存储容量增大时，其存储区内设置的存储阵列也相应地增多，从而对存储器的性能提出了更高的要求。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供了一种存储器及存储系统。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种存储器，包括：
[0006]外围电路；
[0007]存储区，位于所述外围电路的一侧；所述存储区包括多个存储阵列以及位于两个相邻的所述存储阵列之间的第一连接结构；其中，所述第一连接结构的两侧分别包括多个所述存储阵列；
[0008]主导电线，从所述外围电路延伸至所述第一连接结构；所述主导电线的两端分别连接所述外围电路与所述第一连接结构；
[0009]至少两条从导电线，分别连接所述第一连接结构，并在所述第一连接结构两侧的相互背离的方向延伸，连接对应的多个所述存储阵列。
[0010]在一些实施例中，所述第一连接结构两侧的所述存储阵列的数量相等。
[0011]在一些实施例中，所述主导电线位于第一结构层；
[0012]所述从导电线位于不同于所述第一结构层的第二结构层；
[0013]所述第一连接结构连通所述第一结构层和所述第二结构层。
[0014]在一些实施例中，所述第一连接结构为连接所述第一结构层和所述第二结构层的过孔(Via)。
[0015]在一些实施例中，所述多个存储阵列位于第三结构层，所述第三结构层不同于所述第一结构层且不同于所述第二结构层；所述存储器还包括：
[0016]至少一个连通所述第三结构层和所述第二结构层的第二连接结构；所述第二连接结构连接所述从导电线和对应的所述存储阵列。
[0017]在一些实施例中，所述存储阵列包括多个沿第一方向依次排布的行单元；所述多个存储阵列沿第二方向依次排布；所述第一方向垂直于所述从导电线的延伸方向；所述第二方向平行于所述从导电线的延伸方向；其中，
[0018]所述第一连接结构的两侧分别连接有多条相互平行的所述从导电线；
[0019]所述多条从导电线在所述第一方向依次排布，分别连接多个所述存储阵列中位于同一直线上的多个所述行单元。
[0020]在一些实施例中，所述行单元包括多个沿所述第二方向依次排布的存储区块，所述存储器还包括：
[0021]多条第一级导电支线，连接所述从导电线，并分别连接所述多个存储区块。
[0022]在一些实施例中，所述存储器还包括：
[0023]多条第二级导电支线，连接所述第一级导电支线，并沿所述第二方向延伸至所述存储区块的区域范围内。
[0024]在一些实施例中，所述存储器还包括：
[0025]电源连接垫，位于所述外围电路中，用于与供应电源连接；其中，所述电源连接垫连接所述主导电线。
[0026]在一些实施例中，所述主导电线的宽度大于所述从导电线的宽度。
[0027]此外，本申请实施例还提供了一种存储系统，包括：
[0028]如上述实施例所述的存储器；
[0029]控制器，与所述存储器耦接，用于控制所述存储器。
[0030]本申请实施例提供的存储器，可通过从外围电路延伸至第一连接结构的主导电线，将接收到的电信号传递至两个相邻的存储阵列之间，并在所述第一连接结构上实现信号的分配，再通过与所述第一连接结构连接的从导电线，将分配后的所述电信号分别传递至第一连接结构两侧对应的多个存储阵列。这样，一方面可以减少信号传输过程中的延迟与压降，有效提升存储器的性能；另一方面，在增大存储容量时，可以均衡改善各存储阵列之间的损耗，提高存储器的可靠性。
附图说明
[0031]图1A为本申请实施例提供的一种相变存储器的平面结构示意图一；
[0032]图1B为本申请实施例提供的一种相变存储器的平面结构示意图二；
[0033]图1C为本申请实施例提供的一种相变存储器的平面结构示意图三；
[0034]图2为本申请实施例提供的一种存储器的示意图一；
[0035]图3A为本申请实施例提供的一种存储器的示意图二；
[0036]图3B为本申请实施例提供的一种存储器的示意图三；
[0037]图3C为本申请实施例提供的一种存储器的示意图四；
[0038]图3D为本申请实施例提供的一种存储器的示意图五；
[0039]图4A为本申请实施例提供的一种存储阵列的局部示意图一；
[0040]图4B为本申请实施例提供的一种存储阵列的局部示意图二；
[0041]图4C为本申请实施例提供的一种存储阵列的局部示意图三；
[0042]图5为本申请实施例提供的一种行单元的局部示意图；
[0043]图6为本申请实施例提供的一种存储区块的局部示意图；
[0044]图7为本申请实施例提供的一种存储器的示意图五；
[0045]图8为本申请实施例提供的一种半导体结构的示意图；
[0046]图9为本申请实施例提供的一种存储系统的示意图。
具体实施方式
[0047]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0048]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在一些实施例中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里可以不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
[0049]一般地，术语可以至少部分地从上下文中的使用来理解。例如，至少部分地取决于上下文，如本文中所用的术语“一个或多个”可以用于以单数意义描述任何特征、结构或特性，或者可以用于以复数意义描述特征、结构或特性的组合。类似地，诸如“一”或“所述”的术语同样可以被理解为传达单数用法或传达复数用法，这至少部分地取决于上下文。另外，属于“基于”可以被理解为不一定旨在传达排他的一组因素，并且可以替代地允许存在不一定明确地描述的附加因素，这同样至少部分地取决于上下文。
[0050]除非另有定义，本文所使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：外围电路；存储区，位于所述外围电路的一侧；所述存储区包括多个存储阵列以及位于两个相邻的所述存储阵列之间的第一连接结构；其中，所述第一连接结构的两侧分别包括多个所述存储阵列；主导电线，从所述外围电路延伸至所述第一连接结构；所述主导电线的两端分别连接所述外围电路与所述第一连接结构；至少两条从导电线，分别连接所述第一连接结构，并在所述第一连接结构两侧的相互背离的方向延伸，连接对应的多个所述存储阵列。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一连接结构两侧的所述存储阵列的数量相等。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述主导电线位于第一结构层；所述从导电线位于不同于所述第一结构层的第二结构层；所述第一连接结构连通所述第一结构层和所述第二结构层。4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第一连接结构为连接所述第一结构层和所述第二结构层的过孔。5.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述多个存储阵列位于第三结构层，所述第三结构层不同于所述第一结构层且不同于所述第二结构层；所述存储器还包括：至少一个连通所述第三结构层和所述第二结构层的第二连接结构；所述第二连接结构连接所述从导电线和对应的所述存储阵列。6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：