动态随机存取存储器制造技术

提供了动态随机存取存储器(DRAM)。所述DRAM包括：第一数据总线和第二数据总线以及第一命令和地址(C/A)总线和第二命令和地址总线。第一数据总线将写入数据传送到DRAM。第二数据总线从DRAM传送读取数据。第一C/A总线和第二C/A总线分别与第一数据总线和第二数据总线相关联。在一个实施例中，在第二数据总线从DRAM的第二存储器存储体传送读取数据时，第一数据总线同时将写入数据传送到DRAM的第一存储器存储体。在另一实施例中，在第二数据总线从DRAM的第二存储器存储列传送读取数据时，第一数据总线同时将写入数据传送到DRAM的第一存储器存储列。存储器存储列。存储器存储列。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器
[0001]本申请要求于2020年7月10日提交的第63/050,745号美国临时申请和于2020年10月26日提交的第17/080,832号美国非临时申请的优先权权益，该美国临时申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]在此公开的主题涉及芯片上系统(SOC)。更具体地，在此公开的主题涉及用于增大SOC中的动态随机存取存储器(DRAM)的带宽的技术。

技术介绍

[0003]许多非DRAM(动态随机存取存储器)接口使用单向数据总线，而不是双向数据总线。然而，DRAM使用双向数据总线。一些较旧的DRAM协议(例如，全缓冲型双列直插式存储器模块(FBDIMM)))使用高速单向接口来桥接芯片，然后，芯片使用双向接口与DRAM通信。DRAM不支持单向数据总线。

技术实现思路

[0004]示例实施例提供了一种动态随机存取存储器(DRAM)，所述DRAM可以包括第一数据总线、第一命令和地址总线、第二数据总线以及第二命令和数据总线。第一数据总线可以沿相对于DRAM的第一方向传送第一类型的数据。第一命令和地址总线可以与第一数据总线相关联。第二数据总线可以沿相对于DRAM的第二方向传送第二类型的数据。第二命令和地址总线可以与第二数据总线相关联。在一个实施例中，第一类型的数据可以是写入数据，相对于DRAM的第一方向可以朝向DRAM，并且第二类型的数据可以是读取数据，相对于DRAM的第二方向可以远离DRAM。在另一实施例中，DRAM还可以包括第一存储器存储体和第二存储器存储体。第一数据总线可以包括第一单向总线，第二数据总线可以包括第二单向总线，并且在第二数据总线可以针对第二存储器存储体传送第二类型的数据时，第一数据总线可以同时针对第一存储器存储体传送第一类型的数据。在又一实施例中，DRAM还可以包括第一存储器存储列和第二存储器存储列，并且在第二数据总线可以针对第二存储器存储列传送第二类型的数据时，第一数据总线可以同时针对第一存储器存储列传送第一类型的数据。
[0005]示例实施例提供了一种动态随机存取存储器(DRAM)，所述DRAM可以包括第一存储器存储列、第二存储器存储列、第一数据总线和第二数据总线。第一数据总线可以沿相对于第一存储器存储列的第一方向传送第一类型的数据。第二数据总线可以沿相对于第二存储器存储列的第二方向传送第二类型的数据。在第二数据总线可以针对第二存储器存储列传送第二类型的数据时，第一数据总线可以同时针对第一存储器存储列传送第一类型的数据。在一个实施例中，第一命令和地址总线可以与第一数据总线相关联，第二命令和地址总线可以与第二数据总线相关联。
[0006]实例实施例提供一种动态随机存取存储器(DRAM)，所述DRAM可以包括第一存储器存储体、第二存储器存储体、第一数据总线、第一命令和地址总线、第二数据总线以及第二
命令和地址总线。第一数据总线可以沿相对于DRAM的第一方向传送第一类型的数据。第一命令和地址总线可以与第一数据总线相关联。第二数据总线可以沿相对于DRAM的第二方向传送第二类型的数据。第二命令和地址总线可以与第二数据总线相关联。在第二数据总线可以针对第二存储器存储体传送第二类型的数据时，第一数据总线可以同时针对第一存储器存储体传送第一类型的数据。在一个实施例中，第一类型的数据可以是写入数据，相对于DRAM的第一方向可以朝向DRAM，并且第二类型的数据可以是读取数据，相对于DRAM的第二方向可以远离DRAM。
附图说明
[0007]在下面的部分中，将参照附图中示出的示例性实施例来描述在此公开的主题的方面，在附图中：
[0008]图1描绘了以传统方式连接到DRAM的SoC的框图；
[0009]图2描绘了根据在此公开的主题的使用两条单向数据总线连接到DRAM的SoC的示例实施例的框图；
[0010]图3描绘了到DRAM封装(诸如，DIMM)的传统SOC连接的框图；
[0011]图4描绘了根据在此公开的主题的到DRAM封装的SOC连接的示例实施例的框图；以及
[0012]图5描绘了包括根据在此公开的主题的使用两条单向数据总线与DRAM进行接口通信的DRAM装置的电子装置。
具体实施方式
[0013]在下面的具体实施方式中，许多特定细节被阐述，以提供对公开的彻底的理解。然而，本领域技术人员将理解的是，公开的方面可以在没有这些特定细节的情况下被实践。在其他情况下，为了不模糊在此公开的主题，公知的方法、过程、组件和电路未被详细地描述。
[0014]贯穿本说明书对“一个实施例”或“实施例”的引用意味着结合实施例描述的具体特征、结构或特性可以被包括于在此公开的至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书在不同的位置中出现短语“在一个实施例中”或“在实施例中”或“根据一个实施例”(或具有相似含义的其他短语)可以不必都指同一实施例。此外，具体特征、结构或特性可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式被组合。在这方面，如在此使用的，词语“示例性”意味着“用作示例、实例或说明”。在此描述为“示例性”的任何实施例将不被解释为必然优选于或优于其他实施例。此外，具体特征、结构或特性可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式被组合。此外，根据这里的讨论的上下文，单数术语可以包括对应的复数形式，复数术语可以包括对应的单数形式。相似地，连字符连接的术语可以偶尔与对应的非连字符连接的版本可互换地使用，大写的词条可以与对应的非大写的版本可互换地使用。这样偶尔可互换的使用不应被认为彼此不一致。
[0015]此外，根据这里的讨论的上下文，单数术语可以包括对应的复数形式，复数术语可以包括对应的单数形式。还注意的是，在此示出和讨论的附图(包括组件图)仅出于说明性的目的，并且不按照比例绘制。相似地，不同的波形图和时序图仅出于说明性的目的而被示出。例如，为了清楚，相对于其他元件，一些元件的尺寸可以被夸大。此外，如果认为恰当，则
附图标记在附图之间被重复，以指示对应的和/或类似的元件。
[0016]在此使用的术语仅出于描述一些示例实施例的目的，而不是意图成为对要求保护的主题的限制。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。除非明确地如此定义，否则如在此使用的术语“第一”、“第二”等用作在它们之后的名词的标签，而不必暗示任何类型的排序(例如，空间排序、时间排序、逻辑排序等)。此外，相同的附图标记可以遍及两幅或更多幅附图用于表示具有相同或相似功能的部件、组件、块、电路、单元或模块。然而，这样的使用仅是为了简化示出和易于讨论；其不暗示：这样的组件或单元的结构或架构细节遍及所有的实施例是相同的，或者这样共同引用的部件/模块是实现在此公开的一些示例实施例的唯一途径。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器，包括：第一数据总线，沿相对于所述动态随机存取存储器的第一方向传送第一类型的数据；第一命令和地址总线，与第一数据总线相关联；第二数据总线，沿相对于所述动态随机存取存储器的第二方向传送第二类型的数据；以及第二命令和地址总线，与第二数据总线相关联。2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中，第一类型的数据是写入数据，相对于所述动态随机存取存储器的第一方向朝向所述动态随机存取存储器，并且其中，第二类型的数据是读取数据，相对于所述动态随机存取存储器的第二方向远离所述动态随机存取存储器。3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中，所述动态随机存取存储器还包括第一存储器存储体和第二存储器存储体，其中，第一数据总线包括第一单向总线，所述第二数据总线包括第二单向总线，并且其中，在第二数据总线针对第二存储器存储体传送第二类型的数据时，第一数据总线同时针对第一存储器存储体传送第一类型的数据。4.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中，所述动态随机存取存储器还包括第一存储器存储列和第二存储器存储列，并且其中，在第二数据总线针对第二存储器存储列传送第二类型的数据时，第一数据总线同时针对第一存储器存储列传送第一类型的数据。5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中，所述动态随机存取存储器被实施为动态随机存取存储器芯片。6.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中，所述动态随机存取存储器被实施为动态随机存取存储器模块。7.根据权利要求6所述的动态随机存取存储器，其中，动态随机存取存储器模块包括双列直插式存储器模块。8.一种动态随机存取存储器，包括：第一存储器存储列和第二存储器存储列；第一数据总线，沿相对于第一存储器存储列的第一方向传送第一类型的数据；以及第二数据总线，沿相对于第二存储器存储列的第二方向传送第二类型的数据，在第二数据总线针对第二存储器存储列传送第二类型的数据时，第一数据总线...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：