晶体管器件和形成晶体管器件的方法技术

本公开涉及一种晶体管器件和形成晶体管器件的方法。可以提供一种晶体管器件，其包括：衬底；布置在衬底之上的缓冲层；布置在缓冲层之上的源极端子、漏极端子和栅极端子；布置在缓冲层之上的阻挡层；以及布置在阻挡层之上的钝化层。栅极端子可以横向布置在源极端子和漏极端子之间，阻挡层可以包括横向位于栅极端子和漏极端子之间的凹部，栅极端子的一部分可以布置在钝化层之上，以及钝化层可以延伸到阻挡层的凹部中。层的凹部中。层的凹部中。

【技术实现步骤摘要】
晶体管器件和形成晶体管器件的方法


[0001]本公开一般地涉及晶体管器件，以及形成晶体管器件的方法。

技术介绍

[0002]晶体管器件，例如高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，经常用于高频率或高功率应用，例如高频率电信和高压电源开关应用。典型的HEMT器件通常包括具有不同带隙的两种材料，这两种材料彼此邻近地布置以在其间形成异质结。由于这些材料的导带能量不同，电子会从宽带隙材料扩散到窄带隙材料，以形成通常被称为二维电子气(2DEG)通道的导电通道。
[0003]通常，HEMT器件还包括源极、漏极以及布置在源极和漏极之间的栅极。在操作中，可通过施加适当的栅极电压来导通HEMT器件。例如，对于电源开关应用，HEMT器件可以从高电压关断状态切换到高电流导通状态。在此切换期间，HEMT器件一般经过半导通状态，在该半导通状态下，漏极偏置较高(例如，约600V)并且电流开始流过2DEG通道。在这种状态下，会在HEMT器件的栅极的拐角处形成高电场，这可能会使电子加速流过2DEG通道。这些电子(也称为“热电子”)将被捕获在形成异质结的材料中。这会导致热载本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管器件，包括：衬底；布置在所述衬底之上的缓冲层；布置在所述缓冲层之上的源极端子、漏极端子以及栅极端子；其中所述栅极端子横向布置在所述源极端子和所述漏极端子之间；布置在所述缓冲层之上的阻挡层；其中所述阻挡层包括横向位于所述栅极端子和所述漏极端子之间的凹部；以及布置在所述阻挡层之上的钝化层，其中所述栅极端子的一部分布置在所述钝化层之上；并且其中所述钝化层延伸到所述阻挡层的所述凹部中。2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述栅极端子的所述一部分布置在所述阻挡层的所述凹部之上。3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述凹部部分地延伸穿过所述阻挡层的厚度。4.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述凹部完全地延伸穿过所述阻挡层的厚度。5.根据权利要求4所述的晶体管器件，还包括另一阻挡层，其被布置为对所述凹部的底表面进行加衬。6.根据权利要求1所述的晶体管器件，还包括：布置在所述钝化层之上的金属层；其中所述金属层的至少一部分与所述阻挡层的所述凹部竖直重叠。7.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述阻挡层包括：第一阻挡部分；第二阻挡部分；以及横向布置在所述第一阻挡部分和所述第二阻挡部分之间的间隙；其中所述栅极端子部分地延伸到所述阻挡层的所述间隙中，使得所述第一阻挡部分横向布置在所述源极端子和所述栅极端子之间，以及所述第二阻挡部分横向布置在所述漏极端子和所述栅极端子之间。8.根据权利要求7所述的晶体管器件，其中，所述第一阻挡部分的厚度基本均匀，并且其中所述凹部布置在所述第二阻挡部分内。9.根据权利要求7所述的晶体管器件，还包括：至少部分地布置在所述栅极端子下方的栅极电介质层，其中所述栅极电介质层对所述阻挡层的所述间隙进行加衬。10.根据权利要求9所述的晶体管器件，其中，所述阻挡层的所述凹部沿朝向所述漏极端子的方向从所述栅极电介质层横向延伸。11.根据权利要求9所述的晶体管器件，还包括：布置在所述栅极电...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：