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本公开涉及一种晶体管器件和形成晶体管器件的方法。可以提供一种晶体管器件，其包括：衬底；布置在衬底之上的缓冲层；布置在缓冲层之上的源极端子、漏极端子和栅极端子；布置在缓冲层之上的阻挡层；以及布置在阻挡层之上的钝化层。栅极端子可以横向布置在源极...
该专利属于格芯新加坡私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯新加坡私人有限公司授权不得商用。

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