【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体结构，更具体地涉及可控硅整流器和制造方法。
技术介绍
1、可控硅整流器(scr)是固态电流控制器件，其为单向器件(即，仅可沿一个方向传导电流)。scr通常包括含有p-n-p-n层的切换配置。
2、scr的保持电流可以被定义为这样的最小量电流：低于该最小量电流，阳极电流必须下降以进入关断状态。这意味着，如果保持电流值为例如5ma，则接下来，scr的阳极电流必须变为小于5ma才能中断执行。另一方面，触发电压可以在阳极端子相对于阴极变为+ve时发生，在这种情况下，scr将处于正向偏置模式，例如进入正向阻挡状态(forwardblocking state)。这意味着，器件从阻挡(关断)状态切换到未阻挡(导通)状态。
技术实现思路
1、在本公开的一方面，一种结构包括：第一阱，其位于半导体衬底中；第二阱，其位于所述半导体衬底中；第三阱，其位于所述半导体衬底中并将所述第一阱与所述第二阱隔离开；以及第一扩散区，其位于所述半导体衬底的表面处并且延伸到所述第一阱和所述第二阱中，所述...
【技术保护点】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一扩散区比所述第三阱长，使得所述第一扩散区延伸到所述第一阱和所述第二阱中。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第一阱和所述第二阱包括P阱，所述第三阱包括N阱。
4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述半导体衬底包括绝缘体上半导体材料，并且所述第三阱接触位于所述绝缘体上半导体材料下方的掩埋绝缘体层，以将所述第一阱与所述第二阱隔离开。
5.根据权利要求4所述的结构，还包括位于所述第一扩散区和所述第三阱上方的硅化物阻挡材料。
6.根据权利要求3所...
【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一扩散区比所述第三阱长，使得所述第一扩散区延伸到所述第一阱和所述第二阱中。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第一阱和所述第二阱包括p阱，所述第三阱包括n阱。
4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述半导体衬底包括绝缘体上半导体材料，并且所述第三阱接触位于所述绝缘体上半导体材料下方的掩埋绝缘体层，以将所述第一阱与所述第二阱隔离开。
5.根据权利要求4所述的结构，还包括位于所述第一扩散区和所述第三阱上方的硅化物阻挡材料。
6.根据权利要求3所述的结构，其中，所述第一阱比所述第一扩散区更深地进入所述半导体衬底中，并且具有比所述第一扩散区低的掺杂剂浓度。
7.根据权利要求3所述的结构，还包括：第二扩散区，其包括与所述第一扩散区相同的极性，所述第二扩散区接触所述第一扩散区并通过所述第一扩散区与所述第三阱分隔开。
8.根据权利要求7所述的结构，其中，相对于彼此，所述第三阱包括在所述半导体衬底中的最深深度，所述第二扩散区包括在所述半导体衬底中的中间深度，所述第一扩散区包括在所述半导体衬底中的最浅深度。
9.根据权利要求7所述的结构，其中，相对于彼此，所述第三阱包括最低掺杂剂浓度，所述第二扩散区包括中间掺杂剂浓度，所述第一扩散区包括最高掺杂剂浓度。
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【专利技术属性】
技术研发人员：曾杰，S·P·卡拉卡尔，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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