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本公开涉及半导体结构，更具体涉及可控硅整流器和制造方法。该结构包括：第一阱，其位于半导体衬底中；第二阱，其位于半导体衬底中；第三阱，其位于半导体衬底中并将第一阱与第二阱隔离开；以及第一扩散区，其位于半导体衬底的表面处并且延伸到第一阱和第二阱...
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