温度控制系统、半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高配置有基板的处理空间内的温度控制性的技术。温度控制系统具有：在多个区域分别配置的加热部；第1温度传感器，其构成为能够与基板一起动作；所述第1温度传感器以外的其他温度传感器；以及控制部，其构成为针对每个所述区域分别分配所述第1温度传感器和所述其他温度传感器中的某一方，并能够基于由针对每个所述区域分配的、所述第1温度传感器和所述其他温度传感器中的某一方检测的温度来控制所述加热部。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及温度控制系统、半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质。

技术介绍

1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，在晶圆(以下也称为基板)上进行规定的处理(例如参见专利文献1、2)。特别是，专利文献1中记载了使用由晶舟(以下也称为保持件)上安装的温度传感器检测的温度来控制处理室的温度的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2020-059722号

5、专利文献2：日本特开2009-081415号公报

技术实现思路

1、本公开提供能够提高配置有基板的处理空间的温度控制性的技术。

2、本公开的一个方式提供下述技术，其具有：

3、在多个区域分别配置的加热部；第1温度传感器，其构成为能够与基板一起动作；所述第1温度传感器以外的其他温度传感器；以及控制部，其构成为能够针对每个所述区域分别分配所述第1温度传感器和所述其他温度传感器中的某一方，基于由针对每个所述区域分配的、所述第1温度传感器和所述其他温度传感器检测的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种温度控制系统，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的温度控制系统，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的温度控制系统，其特征在于，

8.根据权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的温...

【技术特征摘要】

1.一种温度控制系统，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的温度控制系统，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的温度控制系统，其特征在于，

8.根据权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中西坚斗，山口英人，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：