半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括：半导体基材、电路结构以及环形突起部。半导体基材具有相对的一前表面和一后表面。电路结构位于前表面。环形突起部凸设于后表面上。部凸设于后表面上。部凸设于后表面上。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体元件及其制作方法，且特别是涉及一种具有环形突起部的半导体元件及其制作方法。

技术介绍

[0002]在半导体元件的制造中，需要切割晶片(wafer)以分离成多个个别的管芯(die)。然而，切割所造成的应力破坏会使管芯产生崩缺及曲翘，且崩缺或曲翘的管芯也可能因为后续焊线连接或封装材料缩收应力的影响而产生曲翘，造成后续制作工艺良率不佳。
[0003]因此有需要提供一种新式的半导体元件及其制作方法，以解决现有技术所面临的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一个方面是有关于一种半导体元件，包括：半导体基材、电路结构以及环形突起部。半导体基材具有相对的一前表面和一后表面。电路结构位于前表面。环形突起部凸设于后表面上。
[0005]本专利技术的另一个方面是有关于一种半导体元件的制方法，包括下述步骤：首先，提供一半导体基材，使半导体基材具有相对的一前表面和一后表面。再者，在前表面形成一电路结构。接者，进行一切割制作工艺，在前表面上形成至少一前凹部。而且，进行一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包括:半导体基材，具有相对的前表面和后表面；电路结构，位于该前表面；环形突起部，凸设于该后表面上。2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体基材的厚度和该环形突起部的高度二者的比值介于10:1至5:1之间。3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该环形突起部所围绕的区域至少部分的与该电路结构重叠。4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该环形突起部的形状为方形或圆形。5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该环形突起部还包括第一延伸突起部，由该环形突起部的内侧边缘朝该环形突起部的中心延伸。6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该第一延伸突起部的两端都连接至该内侧边缘，将该环形突起部围绕的区域区隔成两个子区域。7.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，该环形突起部还包括第二延伸突起部，该第一延伸突起部和该第二延伸突起部将该区域区隔成大于二的多个子区域。8.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该环形突起部邻近于该半导体基材的立壁，该立壁连接于该前表面和该后表面之间。9.如权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，该前表面具有前凹部，该前凹部的底部与该立壁连接，使该底部、该立壁和一部分该后表面形成突起部。10.一种半导体元件的制作方法，包括:提供半导体基材，使该半导体基材具有相对的前表面和后表面；于该前表面形成电路结构；进行切割制作工艺，在该前表面上形成至少一前凹部；进行蚀刻制作工...

【专利技术属性】
技术研发人员：江孟庭，张仁宪，何凯光，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：