二极管的表面损坏控制制造技术

本公开总体涉及二极管的表面损坏控制。公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底、设置在衬底内的第一阱区域、设置为与第一阱区域相邻并且在衬底内的第二阱区域、以及设置在第一阱区域内的阱区域阵列。第一阱区域包括第一类型掺杂剂，第二阱区域包括不同于第一类型掺杂剂的第二类型掺杂剂，并且阱区域阵列包括第二类型掺杂剂。该半导体器件还包括设置在阱区域阵列上并且在衬底内的金属硅化物层、设置在金属硅化物层上并且在衬底内的金属硅化物氮化物层、以及设置在金属硅化物氮化物层上的接触件结构。物氮化物层上的接触件结构。物氮化物层上的接触件结构。

【技术实现步骤摘要】
二极管的表面损坏控制


[0001]本公开总体涉及二极管的表面损坏控制。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的进步，对更高存储容量、更快处理系统、更高性能和更低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体行业不断按比例缩小半导体器件的尺寸，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括平面MOSFET和鳍式场效应晶体管(finFET)。这种按比例缩小增加了半导体制造工艺的复杂性。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一阱区域，设置在所述衬底内，其中，所述第一阱区域包括第一类型掺杂剂；第二阱区域，设置为与所述第一阱区域相邻并且在所述衬底内，其中，所述第二阱区域包括不同于所述第一类型掺杂剂的第二类型掺杂剂；阱区域阵列，设置在所述第一阱区域内，其中，所述阱区域阵列包括所述第二类型掺杂剂；金属硅化物层，设置在所述阱区域阵列上并且在所述衬底内；金属硅化物氮化物层，设置在所述金属硅化物层上并且在所述衬底内；以及接触件结构，设置在所述金属硅化物氮化物层上。
[0004]根据本公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一阱区域，设置在所述衬底内，其中，所述第一阱区域包括第一类型掺杂剂；第二阱区域，设置为与所述第一阱区域相邻并且在所述衬底内，其中，所述第二阱区域包括不同于所述第一类型掺杂剂的第二类型掺杂剂；阱区域阵列，设置在所述第一阱区域内，其中，所述阱区域阵列包括所述第二类型掺杂剂；金属硅化物层，设置在所述阱区域阵列上并且在所述衬底内；金属硅化物氮化物层，设置在所述金属硅化物层上并且在所述衬底内；以及接触件结构，设置在所述金属硅化物氮化物层上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属硅化物层的第一部分设置在所述阱区域阵列上，并且所述金属硅化物层的第二部分设置在所述第一阱区域上。3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述金属硅化物氮化物层上的蚀刻停止层。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属硅化物氮化物层中氮原子的峰值浓度与所述金属硅化物氮化物层的顶表面相隔约0.05nm至约1nm的距离。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属硅化物氮化物层的顶表面与所述衬底的顶表面基本上共面。6.根据权利要求1所述的半导体器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴亭莹，陈永祥，叶玉隆，陈彦秀，陈威良，何盈苍，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：