一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒制造技术

技术编号:33547711 阅读:26 留言:0更新日期:2022-05-26 22:42
本实用新型专利技术提供一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒,包括上筒壁和下筒壁,下筒壁的一端与上筒壁连接,下筒壁的自由端设有多个开槽,以使得流经下筒壁自由端的保护气体的流速增加。本实用新型专利技术的有益效果是在下筒壁的自由端设置多个开槽,下筒壁的截面形状为曲线,增大氩气的流动速率,提高氩气带走氧化物的能力,降低硅单晶中的氧含量,提高单晶品质。提高单晶品质。提高单晶品质。

【技术实现步骤摘要】
一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒


[0001]本技术属于光伏
,尤其是涉及一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒。

技术介绍

[0002]氧是CZ硅单晶中含量最高,行为最复杂的一种杂质,晶体中的氧既有益又有害,因此,在拉制硅单晶过程中需要对氧含量进行控制。
[0003]在直拉单晶中降低氧含量主要有两大类方法,第一类就是抑制氧原子的产生,也就是降低石英坩埚的溶解速度,第二类就是加快氧原子的挥发速度,即增加SIO的挥发速率。
[0004]导流筒在热场中主要作用是隔绝加热器对单晶的热辐射,增大单晶温度梯度,从而提高拉速,同时使氩气流经导流筒吹拂液面,带走氧化物,也就是说氩气流经导流筒下沿速率越快,带走的氧化物越多,单晶氧含量也就越低。
[0005]当前导流筒结构如图5所示,导流筒下沿斜面为直线形状,导流筒下口呈圆形,氩气流经导流筒下沿的速率不高,不能快速的将氧化物带走。

技术实现思路

[0006]鉴于上述问题,本技术提供一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒,以解决现有技术存在的以上或者其他前者问题。
[00本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒,其特征在于:包括上筒壁和下筒壁,所述下筒壁的一端与所述上筒壁连接,所述下筒壁的自由端设有多个开槽,以使得流经所述下筒壁自由端的保护气体的流速增加;所述下筒壁的截面形状为曲线,以使得流经所述下筒壁的保护气体的流速增加。2.根据权利要求1所述的降低直拉单晶硅氧含量的导流筒,其特征在于:所述开槽沿着所述下筒壁的自由端的径向方向设置,多个所述开槽沿着所述下筒壁的自由端的周向设置。3.根据权利要求2所述的降低直拉单晶硅氧含量的导流筒,其特征在于:多个所述开槽被至少设置为一组,多组所述开槽沿着所述下筒壁的自由端的径向方向设置。4.根据权利要求3所述的降低直拉单晶硅氧含量的导流筒,其特征在于:每一组中的多个所述开槽设于所述下筒壁的自由端的同一周向上,且相邻组中的多个所述开槽交错设置。5.根据权利要求1

4任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:霍志强王建平郝勇高鹏黄伟池通河王秀娟
申请(专利权)人:内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
类型:新型
国别省市:

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