一种具有可变生长空间的晶体生长装置制造方法及图纸

一种具有可变生长空间的晶体生长装置，属于单晶制备领域，具体涉及晶体生长装置，特别涉及在晶体生长过程中根据晶体尺寸动态控制生长空间的晶体生长装置。包括主体立柱，设置在主体立柱之间的主炉体，主炉体内部有坩埚及坩埚加热、支撑结构，坩埚上方有籽晶杆及籽晶杆驱动装置，主炉体为开放的圆筒，通过主炉体驱动电机和主驱动臂定位在主体立柱上；设置与主炉体配套的可移动装置，可移动装置通过上下运动，实现晶体生长空间的变化控制。采用本装置，在晶体生长的初期，生长空间小，热场对流小，容易进行晶体生长的引晶和放肩过程；待晶体长大后，炉体开始随着晶体的长大而伸长，晶体本身的降温会保证晶体生长的稳定性。体本身的降温会保证晶体生长的稳定性。体本身的降温会保证晶体生长的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有可变生长空间的晶体生长装置


[0001]本技术属于单晶制备领域，具体涉及晶体生长装置，特别涉及在晶体生长过程中根据晶体尺寸动态控制生长空间的晶体生长装置。

技术介绍

[0002]作为半导体材料，单晶的生长需要高温高压环境。目前晶体的生长在一个密闭的固定空间内完成。
[0003]大尺寸、长单晶能够尽可能的制备出更多的大尺寸半导体单晶衬底，这样会大幅降低后续器件的成本，目前几乎所有的半导体单晶都在向着大尺寸、长单晶方向发展。
[0004]当需要生长制作大尺寸晶体，尤其是对长度有要求时，需要增大密闭空间体积，尤其是在纵向需要增加空间的长度。
[0005]由于密闭空间内温度场分布不均匀，空间增大会造成热场内对流大，进行大容量合成及生长高品质、大尺寸、长单晶非常困难。

技术实现思路

[0006]针对上述问题，本技术提供了一种适合生长长单晶的生长装置。
[0007]为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种具有可变生长空间的晶体生长装置，包括2个或2个以上的主体立柱，设置在主体立柱之间、位于支撑台上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有可变生长空间的晶体生长装置，包括2个或2个以上的主体立柱（15），设置在主体立柱（15）之间、位于支撑台（5）上的主炉体（1），主炉体（1）内部有坩埚（24）及坩埚加热、支撑结构，坩埚（24）上方有籽晶杆（6）及籽晶杆驱动装置；其特征在于：主炉体（1）为开放的圆筒，通过主炉体驱动电机（19）和主驱动臂（19
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1）定位在主体立柱（15）上；设置与主炉体（1）配套的可移动装置，可移动装置通过上下运动，实现晶体生长空间的变化控制。2.根据权利要求1所述的具有可变生长空间的晶体生长装置，其特征在于，所述可移动装置为在主炉体（1）内侧或外侧设置的可移动炉体，可移动炉体通过驱动电机和驱动臂设置在主体立柱（15）上；最内侧或最外侧的可移动炉体顶部密封，其它可移动炉体为开放的圆筒，籽晶杆（6）及籽晶杆驱动装置设置在顶部密封的可移动炉体上。3.根据权利要求2所述的具有可变生长空间的晶体生长装置，其特征在于，所述可移动炉体设置1
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4个。4.根据权利要求2所述的具有可变生长空间的晶体生长装置，其特征在于，所述可移动炉体的驱动臂设置在可移动炉体的顶端。5.根据权利要求2所述的具有可变生...

【专利技术属性】
技术研发人员：王书杰，孙聂枫，史艳磊，邵会民，徐森锋，付莉杰，王阳，李晓岚，欧欣，宋瑞良，刘惠生，孙同年，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：