【技术实现步骤摘要】
一种降低直拉单晶断苞的生产工艺
[0001]本专利技术属于直拉单晶制造
,尤其是涉及一种降低直拉单晶断苞的生产工艺。
技术介绍
[0002]在直拉单晶过程中,断苞是单晶拉制失败的主要问题之一,因断苞的主要因素是由于石英坩埚中的杂质过多而导致,尤其是在转肩之后的等径初期的拉制过程中,一旦晶转转速(晶转)和埚转速度(埚转)设置不合理,就会导致熔融硅液与石英坩埚的摩擦加大,从而使石英坩埚内的杂质进入硅液中,进而容易引起断苞。还有,在这一拉制过程中,若热场温度设置不合理,使溶体热对流加速杂质在晶体头部的聚集,容易生长出无生长条纹的晶体,也会进一步加速断苞的风险。一旦出现断苞,不仅造成生产中断,而且会造成资源的浪费,加大生产成本。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供一种降低直拉单晶断苞的生产工艺,尤其适合直径为210-330mm的晶体在转肩之后的等径初期的拉制过程中,主要解决了现有技术中容易出现断苞的技术问题。
[0004]为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案是:
[0005]一种降 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种降低直拉单晶断苞的生产工艺,其特征在于,在转肩之后的等径初期拉制过程中,晶体生长高度分为四个阶段,分别为第一阶段的进入段、第二阶段的过渡段、第三阶段的增长段和第四阶段的稳定段;在每一阶段中均包括控制晶体生长的晶体转速、石英坩埚转速和热场温度;从所述第一阶段到所述第四阶段中,所述晶体转速先以初始转速运行后缓慢增大,再以恒定转速运行;所述石英坩埚转速以从转肩处转入等径初期的初始转速稳定不变;所述稳定热场温度先以从转肩结束时转入等径初期的初始温度稳定运行后缓慢降低,再以恒定温度继续运行。2.根据权利要求1所述的一种降低直拉单晶断苞的生产工艺,其特征在于,在所述第一阶段中,所述晶体以初始转速稳定运行;且所述晶体初始转速与其在转肩结束时的转速相同,为10rpm。3.根据权利要求2所述的一种降低直拉单晶断苞的生产工艺,其特征在于,所述晶体在所述第二阶段中,从初始转速缓慢升高至12rpm;并以12rpm稳定运行在所述第三阶段和第四阶段中。4.根据权利要求1-3任一项所述的一种降低直拉单晶断苞的生产工艺,其特征在于,所述石英坩埚转速始终与其在转肩结...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴树飞,郝瑞军,赵国伟,周泽,刘振宇,杨瑞峰,刘学,王建宇,
申请(专利权)人:内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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