双层式遮蔽构件及具有双层式遮蔽构件的沉积机台制造技术

技术编号:33547208 阅读:18 留言:0更新日期:2022-05-26 22:42
本实用新型专利技术提供一种具有双层式遮蔽构件的沉积机台,主要包括一反应腔体、一承载盘及一双层式遮蔽构件,其中部分的双层式遮蔽构件及承载盘位于反应腔体内。双层式遮蔽构件包括一第一遮蔽板、一第一保护板、一第二遮蔽板、一第二保护板及一驱动装置,其中驱动装置连接第一及第二遮蔽板,并驱动第一及第二遮蔽板朝相反方向摆动。在进行清洁制程时,驱动装置会带动第一及第二遮蔽板相互靠近。第一及第二保护板分别设置在第一及第二遮蔽板的表面,其中第一及第二保护板与第一及第二遮蔽板之间存在一间隔,可防止第一及第二遮蔽板发生高温变形,以提高遮蔽的效果。以提高遮蔽的效果。以提高遮蔽的效果。

【技术实现步骤摘要】
双层式遮蔽构件及具有双层式遮蔽构件的沉积机台


[0001]本技术有关于一种具有双层式遮蔽构件的沉积机台,主要通过双层式遮蔽构件遮挡承载盘,以避免在清洁处理腔室的过程中污染承载盘。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及原子层沉积(ALD)皆是常用的薄膜沉积设备,并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制程中。
[0003]沉积设备主要包括一腔体及一晶圆承载盘,其中晶圆承载盘位于腔体内,并用以承载至少一晶圆。以物理气相沉积为例,腔体内需要设置一靶材,其中靶材面对晶圆承载盘上的晶圆。在进行物理气相沉积时,可将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内,分别对靶材及晶圆承载盘施加偏压,并通过晶圆承载盘加热承载的晶圆。
[0004]腔体内的惰性气体因为高压电场的作用,形成离子化的惰性气体,离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子受到晶圆承载盘上的偏压吸引,并沉积在加热的晶圆的表面,以在晶圆的表面形成薄膜。
[0005]在经过一段时间的使用后,腔体的内表面会形成沉积薄膜,因此需要周期性的清洁腔体,以避免沉积薄膜在制程中掉落,进而污染晶圆。此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他污染物,因此同样需要周期性的清洁靶材。一般而言,通常会通过预烧(burn

in)制程,以电浆离子撞击腔体内的靶材,以去除靶材表面的氧化物或其他污染物。
[0006]在进行上述清洁腔体及靶材时,需要将腔体内的晶圆承载盘及晶圆取出,或者隔离晶圆承载盘,以避免清洁过程中污染晶圆承载盘及晶圆。

技术实现思路

[0007]一般而言,沉积机台在经过一段时间的使用后,通常需要进行清洁,以去除腔室内沉积的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清洁的过程中产生的微粒会污染承载盘,因此需要隔离承载盘及污染物。本技术提出一种双层式遮蔽构件及具有双层式遮蔽构件的沉积机台,主要通过驱动装置带动两个遮蔽板朝相反方向摆动,使得两个遮蔽板操作在一开启状态及一遮蔽状态。两个遮蔽板朝向靶材的表面上分别设置一保护板,其中保护板用以保护遮蔽板以避免清洁过程中产生的高温或高温物质损害遮蔽板。
[0008]本技术的一目的,在于提供一种具有双层式遮蔽构件的沉积机台,主要包括一反应腔体、一承载盘及一双层式遮蔽构件。双层式遮蔽构件包括一驱动装置、两个遮蔽板及两个保护板,其中驱动装置连接两个遮蔽板,而保护板则设置在遮蔽板朝向靶材的表面上。
[0009]在清洁反应腔体时,两个驱动装置分别带动两个遮蔽板以摆动的方式相互靠近,并通过两个遮蔽板遮挡容置空间内的承载盘,以避免清洁过程中使用的电浆或产生的污染接触承载盘。在进行沉积制程时,两个驱动装置分别带动两个遮蔽板以摆动的方式相互远离,并可对反应腔体内的基板进行薄膜沉积。
[0010]当两个遮蔽板操作在遮蔽状态时,设置在遮蔽板上两个保护板亦会相互靠近,并用遮挡两个遮蔽板。此外,保护板与遮蔽板之间具有一间隔,可有效隔离遮蔽板与清洁过程中产生的高温或高温物质,以降低遮蔽板受热变形的机会。
[0011]本技术的一目的,在于提供一种具有双层式遮蔽构件的沉积机台,其中操作在遮蔽状态的两个遮蔽板之间具有一第一间隙,而设置在遮蔽板上的两个保护板之间则具有一第二间隙。两个遮蔽板之间的第一间隙与两个保护板之间的第二间隙彼此错开,使得操作在遮蔽状态的保护板及遮蔽板可有效阻隔靶材及承载盘,以避免清洁过程中产生的污染物接触承载盘。
[0012]本技术的一目的,在于提供一种具有双层式遮蔽构件的沉积机台,主要通过两个遮蔽板构成一个完整的遮蔽件,可缩小收纳遮蔽板需要的空间。在本技术一实施例中,两个遮蔽板可以在反应腔体的容置空间内进行相反方向的摆动,其中两个遮蔽板可以在反应腔体的容置空间内操作在开启状态或遮蔽状态,可简化反应腔体的构造及缩小反应腔体的体积。此外亦可进一步使用厚度较大的遮蔽板,以防止遮蔽板在清洁沉积机台时发生高温变形,并有利于提高遮蔽板遮挡承载盘的效果。
[0013]为了达到上述的目的,本技术提出一种具有双层式遮蔽构件的沉积机台,包括:一反应腔体,包括一容置空间;一承载盘,位于容置空间内,并用以承载至少一基板;及一双层式遮蔽构件,包括:一第一遮蔽板,位于容置空间内;一第一保护板,设置于第一遮蔽板的一表面;一第二遮蔽板,位于容置空间内;一第二保护板,设置于第二遮蔽板的一表面;及一驱动装置,连接第一遮蔽板及第二遮蔽板,并分别驱动第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反方向摆动,使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一开启状态及一遮蔽状态之间切换,其中遮蔽状态的第一遮蔽板及第二遮蔽板会相互靠近,并用以遮挡承载盘,而第一保护板及第二保护板亦会相互靠近,并用以遮挡第一遮蔽板及第二遮蔽板。
[0014]本技术提出一种双层式遮蔽构件,适用于一沉积机台,包括:一第一遮蔽板;一第一保护板,设置于第一遮蔽板的一表面;一第二遮蔽板;一第二保护板,设置于第二遮蔽板的一表面;及一驱动装置,连接第一遮蔽板及第二遮蔽板,并分别驱动第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反方向摆动,使得第一遮蔽板及第二遮蔽板操作在一开启状态及一遮蔽状态之间切换,其中遮蔽状态的第一遮蔽板及第二遮蔽板会相互靠近,而第一保护板及第二保护板亦会相互靠近,并用以遮挡第一遮蔽板及第二遮蔽板。
[0015]所述的具有双层式遮蔽构件的沉积机台及双层式遮蔽构件,其中驱动装置包括一轴封装置及至少一驱动马达,驱动马达通过轴封装置连接第一遮蔽板及第二遮蔽板。
[0016]所述的具有双层式遮蔽构件的沉积机台及双层式遮蔽构件,包括一靶材位于反应腔体的容置空间内并面对承载盘,操作在遮蔽状态的第一遮蔽板与及第二遮蔽板位于靶材与承载盘之间,而第一保护板及第二保护板则位于靶材与第一遮蔽板及第二遮蔽板之间。
[0017]所述的具有双层式遮蔽构件的沉积机台及双层式遮蔽构件,其中遮蔽状态的第一遮蔽板及第二遮蔽板之间具有一第一间隙,而第一保护板及第二保护板之间则具有一第二间隙,第一间隙与第二间隙不重叠。
[0018]所述的具有双层式遮蔽构件的沉积机台及双层式遮蔽构件,其中第一保护板的面积大于第二保护板的面积,或是第一遮蔽板的面积大于第二遮蔽板的面积。
[0019]所述的具有双层式遮蔽构件的沉积机台,包括两个感测区连接反应腔体,两个感
测区分别包括一感测空间流体连接容置空间,两个感测区的厚度小于反应腔体,其中两个感测区分别设置至少一位置感测单元,用以感测进入感测空间的第一遮蔽板及第二遮蔽板。
[0020]本技术的有益效果是:提供一种具有双层式遮蔽构件的沉积机台,在清洁反应腔体时,驱动装置则会带动第一及第二遮蔽板相互靠近,并切换为遮蔽状态以遮蔽承载盘,避免在清洁沉积机台的过程中污染承载盘。
附图说明
[0021]图1为本技术具有双层式遮蔽构件的沉积机台操作在遮蔽状态一实施例的侧面剖面示意图。
[0022]图2为本技术沉积机台的双层式遮蔽构件操本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有双层式遮蔽构件的沉积机台,其特征在于,包括:一反应腔体,包括一容置空间;一承载盘,位于该容置空间内,并用以承载至少一基板;及一挡件,位于该容置空间内,该挡件的一端连接该反应腔体,而该挡件的另一端则形成一开口;及一双层式遮蔽构件,包括:一第一遮蔽板,位于该容置空间内;一第一保护板,设置于该第一遮蔽板的一表面;一第二遮蔽板,位于该容置空间内;一第二保护板,设置于该第二遮蔽板的一表面;及一驱动装置,连接该第一遮蔽板及该第二遮蔽板,并分别驱动该第一遮蔽板及该第二遮蔽板朝相反方向摆动,使得该第一遮蔽板及该第二遮蔽板在一开启状态及一遮蔽状态之间切换,其中该遮蔽状态的该第一遮蔽板及该第二遮蔽板会相互靠近,并用以遮挡该承载盘,而该第一保护板及该第二保护板亦会相互靠近,并用以遮挡该第一遮蔽板及该第二遮蔽板,其中该遮蔽状态的该第一遮蔽板及该第二遮蔽板之间具有一第一间隙,而该第一保护板及该第二保护板之间则具有一第二间隙,该第一间隙与该第二间隙不重叠。2.根据权利要求1所述的具有双层式遮蔽构件的沉积机台,其特征在于,其中该驱动装置包括一轴封装置及至少一驱动马达,该驱动马达通过该轴封装置连接该第一遮蔽板及该第二遮蔽板。3.根据权利要求1所述的具有双层式遮蔽构件的沉积机台,其特征在于,包括一靶材位于该反应腔体的该容置空间内并面对该承载盘,操作在该遮蔽状态的该第一遮蔽板与及该第二遮蔽板位于该靶材与该承载盘之间,而该第一保护板及该第二保护板则位于该靶材与该第一遮蔽板及该第二遮蔽板之间。4.根据权利要求1所述的具有双层式遮蔽构件的沉积机台,其特征在于,其中该第一保护板的面...

【专利技术属性】
技术研发人员:林俊成沈祐德
申请(专利权)人:鑫天虹厦门科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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