一种间接带隙半导体光电探测器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种间接带隙半导体光电探测器件及其制作方法。所述光电探测器器件包括间隙带隙半导体形成的N型衬底、间隙带隙半导体形成的掺杂区域和间隙带隙半导体形成的P型区域，掺杂区域位于N型衬底和P型区域之间，且掺杂区域形成位于价带和导带之间的杂带。本发明专利技术降低工作电压，提高增益和效率，在3V工作电压时增益和APD在30V电压下的增益相当，并把附加噪声系数降低到APD的2％左右。加噪声系数降低到APD的2％左右。加噪声系数降低到APD的2％左右。

【技术实现步骤摘要】
一种间接带隙半导体光电探测器件及其制作方法


[0001]本专利技术属于光电探测器
，具体涉及一种降低工作电压、提高增益和效率的间接带隙半导体光电探测器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]传统光电探测器(APD)器件，如雪崩光电二极管(avalanche photodiode)器件的结构如图1所示，从下往上依次包括重掺杂的N型区域11、轻掺杂的P型区域12及重掺杂的P型区域13。
[0003]图2是间接带隙半导体能带的示意图，其中，标号21是导带的L能谷，标号22是导带的γ能谷，标号23是价带顶，标号24的箭头表示间接跃迁，标号25的箭头表示直接跃迁。标号23和标号21之间的能量差是间接带隙半导体的禁带宽度Eg。对于价带顶23的电子，只有获得了超过禁带宽度Eg的能量才能跃迁到导带，但由于需要遵守动量守恒，只能发生图2中标号25所示的直接跃迁，而不能发生标号24所示的间接跃迁，APD基于此原理，通过反向偏置的PN结高压强电场作用，让电子能够获得足够的能量，实现直接跃迁。
[0004]传统光电探测器(APD)器件，通过施加高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种间接带隙半导体光电探测器件，其特征在于，所述光电探测器器件包括间隙带隙半导体形成的N型衬底、间隙带隙半导体形成的掺杂区域和间隙带隙半导体形成的P型区域，所述掺杂区域位于所述N型衬底和P型区域之间，且所述掺杂区域形成位于价带和导带之间的杂带。2.根据权利要求1所述的一种间接带隙半导体光电探测器件，其特征在于，所述掺杂区域为与所述N型衬底材料相同的掺杂区域。3.根据权利要求1所述的一种间接带隙半导体光电探测器件，其特征在于，所述掺杂区域的掺杂浓度位于1E18cm2～1E20cm2之间。4.根据权利要求1所述的一种间接带隙半导体光电探测器件，其特征在于，所述掺杂区域的厚度位于0.1μm～0.5μm之间。5.根据权利要求1所述的一种间接带隙半导体光电探测器件，其特征在于，所述P型区域为掺杂了N型衬底材料的P型区域。6.根据权利要求5所述的一种间接带隙半导体光电探测器件，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耀辉，莫海锋，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：