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本发明公开了一种间接带隙半导体光电探测器件及其制作方法。所述光电探测器器件包括间隙带隙半导体形成的N型衬底、间隙带隙半导体形成的掺杂区域和间隙带隙半导体形成的P型区域，掺杂区域位于N型衬底和P型区域之间，且掺杂区域形成位于价带和导带之间的杂...
该专利属于苏州华太电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术有限公司授权不得商用。

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