横向光电探测器制造技术

本发明专利技术提供一种横向光电探测器。该横向光电探测器包括：衬底；第一外延层，形成于衬底上，且背离衬底的一侧形成吸收倍增区，吸收倍增区为轻掺杂N型区；阳极区和阴极区，分别形成于第一外延层上表面的两侧；其中，阳极区和阴极区未直接接触，阳极区、吸收倍增区和阴极区形成横向PIN结；第一电极，形成于阳极区上；第二电极，形成于阴极区上。本发明专利技术能够提高半导体光电探测器的工作性能。体光电探测器的工作性能。体光电探测器的工作性能。

【技术实现步骤摘要】
横向光电探测器


[0001]本专利技术涉及光电探测器
，尤其涉及一种横向光电探测器。

技术介绍

[0002]半导体光电探测器具有灵敏度高、可靠性好、体积小、便于集成等优点，在火灾探测、通信、遥感、预警等军民领域具有广阔的应用前景。
[0003]传统的半导体光电探测器，多采用纵向结构，由于短波长的入射光信号在半导体材料内部的吸收长度较短，通常在材料表面被吸收，无法在探测器内部形成光电流，造成探测器对短波长信号的响应度较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种横向光电探测器，以解决传统探测器对短波长信号的响应度较低的问题。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种横向光电探测器，包括：
[0006]衬底；
[0007]第一外延层，形成于衬底上，且背离衬底的一侧形成吸收倍增区，吸收倍增区为轻掺杂N型区；
[0008]阳极区和阴极区，分别形成于第一外延层上表面的两侧；其中，阳极区和阴极区未直接接触，阳极区、吸收倍增区和阴极区形成横向PIN结；r/>[0009]第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种横向光电探测器，其特征在于，包括衬底；第一外延层，形成于所述衬底上，且背离所述衬底的一侧形成吸收倍增区，所述吸收倍增区为轻掺杂N型区；阳极区和阴极区，分别形成于所述第一外延层上表面的两侧；其中，所述阳极区和所述阴极区未直接接触，所述阳极区、所述吸收倍增区和所述阴极区形成横向PIN结；第一电极，形成于所述阳极区上；第二电极，形成于所述阴极区上。2.如权利要求1所述的横向光电探测器，其特征在于，所述探测器还包括：设置在所述横向光电探测器的上表面，覆盖除所述第一电极和所述第二电极以外区域的绝缘介质层。3.如权利要求2所述的横向光电探测器，其特征在于，所述探测器还包括：设置在所述阳极区和所述吸收倍增区的绝缘介质层的上表面，与所述第一电极相连接的场板；所述场板为半透明场板或者透明场板。4.如权利要求3所述的横向光电探测器，其特征在于，所述场板为金属场板或石墨烯场板。5.如权利要求1所述的横向光电探测器，其特征在于，所述阳极区为第一掺杂浓度...

【专利技术属性】
技术研发人员：周幸叶，吕元杰，王元刚，郭红雨，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：