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本发明提供一种横向光电探测器。该横向光电探测器包括：衬底；第一外延层，形成于衬底上，且背离衬底的一侧形成吸收倍增区，吸收倍增区为轻掺杂N型区；阳极区和阴极区，分别形成于第一外延层上表面的两侧；其中，阳极区和阴极区未直接接触，阳极区、吸收倍增...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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