横向光电探测器制造技术

本发明专利技术提供一种横向光电探测器。该横向光电探测器包括：衬底；第一外延层，形成于衬底上；X个阳极区和Y个阴极区，X个阳极区和Y个阴极区交替排列，均形成于第一外延层上；其中，X个阳极区和Y个阴极区相互之间均未直接接触，每两个相邻的阳极区和阴极区通过第一外延层形成横向PIN结；X个第一电极，一一对应形成于X个阳极区上，X个第一电极通过第一金属带线电连接；Y个第二电极，一一对应形成于Y个阴极区上，Y个第二电极通过第二金属带线电连接。本发明专利技术能够提高光电探测器的工作性能。明能够提高光电探测器的工作性能。明能够提高光电探测器的工作性能。

【技术实现步骤摘要】
横向光电探测器


[0001]本专利技术涉及光电探测器
，尤其涉及一种横向光电探测器。

技术介绍

[0002]半导体光电探测器具有灵敏度高、可靠性好、体积小、便于集成等优点，在火灾探测、通信、遥感、预警等军民领域具有广阔的应用前景。
[0003]传统的半导体光电探测器，多采用纵向结构，由于短波长的入射光信号在半导体材料内部的吸收长度较短，通常在材料表面被吸收，无法在探测器内部形成光电流，造成探测器对短波长信号的响应度较低，也即传统的半导体光电探测器工作性能较差且灵敏度低。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种横向光电探测器，以解决传统的半导体光电探测器工作性能较差且灵敏度低的问题。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种横向光电探测器，包括：
[0006]衬底；
[0007]第一外延层，形成于衬底上；
[0008]X个阳极区和Y个阴极区，X个阳极区和Y个阴极区交替排列，均形成于第一外延层上；其中，X个阳极区和Y个阴极区相互之间均未直接接触，每两个相邻的阳极区和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种横向光电探测器，其特征在于，包括衬底；第一外延层，形成于所述衬底上；X个阳极区和Y个阴极区，X个阳极区和Y个阴极区交替排列，均形成于所述第一外延层上；其中，X个阳极区和Y个阴极区相互之间均未直接接触，每两个相邻的阳极区和阴极区通过所述第一外延层形成横向PIN结；X个第一电极，一一对应形成于X个阳极区上，X个第一电极通过第一金属带线电连接；Y个第二电极，一一对应形成于Y个阴极区上，Y个第二电极通过第二金属带线电连接。2.如权利要求1所述的横向光电探测器，其特征在于，所述第一外延层在每两个相邻的阳极区和阴极区之间形成一个隔离平台。3.如权利要求1所述的横向光电探测器，其特征在于，X个阳极区均为第一掺杂浓度的重掺杂P型区；Y个阴极区均为第二掺杂浓度的重掺杂N型区；所述第一外延层为第三掺杂浓度的轻掺杂P型或者轻掺杂N型半导体材料；其中，第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均大于所述第三掺杂浓度。4.如权利要求3所述的横向光电探测器，其特征在于，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均处于10
18
～10
20
cm
‑3范围；所述第三掺杂浓度处于10
14
...

【专利技术属性】
技术研发人员：周幸叶，吕元杰，王元刚，梁士雄，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：