【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于薄膜太阳能电池的改进的超晶格结构
[0001]本专利技术涉及一种用于薄膜太阳能电池的超晶格结构,包括超晶格结构的薄膜太阳能电池,以及制造该超晶格结构的方法。
技术介绍
[0002]众所周知,太阳能电池或光伏电池是一种通过光伏效应将光能直接转化为电能的设备。
[0003]太阳能电池最相关的特征是它的效率,即,太阳能电池可以将以太阳辐射形式存在的部分能量转化为电能的。
[0004]第一代太阳能电池(也称为常规的、传统的或基于晶片的电池)通常由晶体硅制成,更准确地说,包括多晶硅和单晶硅等材料。单个的传统太阳能电池通常组合成模块,也称为太阳能电池板。
[0005]这些硅基太阳能电池以具有竞争力的成本提供了相对较高的效率(就能量转换效率而言),因此,目前仍在商业上占主导地位。
[0006]在现有技术中,传统的硅基太阳能电池使用单个p
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n结,其最高效率约为30%。
[0007]众所周知,这些使用单个p
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n结的传统硅基太阳能电池具有33%
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于薄膜太阳能电池的超晶格结构,所述超晶格结构包括纳米晶体的多个叠加的层,并且所述超晶格结构被配置为当所述超晶格结构受到太阳辐射照射时产生穿过所述层的电子流,其中,所述层中的每一者包括具有基本相同尺寸和形状的纳米晶体阵列,并且其中,所述层中的每一者的纳米晶体相对于其他的所述层的纳米晶体具有不同的尺寸和/或不同的形状;所述层以所述超晶格结构为各向异性的顺序排序。2.根据权利要求1所述的超晶格结构,其中,所述超晶格结构沿着横向方向是各向异性的,其中,沿着所述横向方向要求导电性。3.根据权利要求1所述的超晶格结构,其中,所述层沿着横向方向按照所述纳米晶体的尺寸以升序或降序排列,其中,沿着所述横向方向要求导电性。4.根据权利要求1所述的超晶格结构,其中,所述层包括:
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第一类型的层,包括具有第一形状的纳米晶体,
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第二类型的层,包括具有不同于所述第一形状的第二形状的纳米晶体;所述第一类型的层与所述第二类型的层交替。5.根据权利要求1所述的超晶格结构,其中,所述纳米晶体固定在所述层内的预定位置,使得所述纳米晶体具有能量配向和机械配向。6.根据权利要求1所述的超晶格结构,其中,所述纳米晶体由以下材料中的一种或多种材料制成:CdS,CdSe,CdTe,InP,InAs,ZnS,ZnSe,HgTe,GaN,GaP,GaAs,GaSb,InSb,Si,Ge,AlAs,AlSb,PbSe,PbS,PbTe,InGaAs,InGaN,AlInGaP。7.根据权利要求1所述的超晶格结构,其中,所述纳米晶体由以...
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