【技术实现步骤摘要】
一种BAW滤波器结构及制备方法
[0001]本专利技术涉及射频滤波技术,尤其涉及一种BAW滤波器结构及制备方法。
技术介绍
[0002]射频滤波器是无线通信领域的重要器件之一。随着大数据和物联网时代的到来,装配于射频前端中的滤波器必然朝着高频率、低损耗、微型化、集成化等方向发展。基于压电材料的体声波(Bulk Acoustic Wave,BAW)滤波器是一种优选的射频滤波器解决方案,通过将多个BAW谐振器按照一定的拓扑结构级联,就可以实现中心频率高达数GHz的射频滤波器技术指标。相比于传统的陶瓷滤波器和同样基于压电材料的声表面波滤波器而言,BAW滤波器有着无可比拟的体积优势,以及高工作频段和高功率容量等优势。
[0003]BAW谐振器的基本结构是由底电极
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压电薄膜
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顶电极构成的三明治复合膜结构,其工作原理是利用压电薄膜在交流电场作用下激励出纵向传播的体声波,该体声波被复合膜的上下界面反射而限制在复合膜内来回振荡形成驻波,从而实现谐振。通常,BAW谐振器的底电极下方设有用于反射声 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种BAW滤波器结构的制备方法,其特征在于,包括:制作转移结构体(100)的步骤:将两个以上相互独立的压电薄膜单元(121)生成于外延衬底(110)表面,在压电薄膜单元(121)上生成一一对应的底电极单元(131),得到转移结构体(100);制作键合结构体(200)的步骤:在支撑衬底(210)上设置两个以上互相独立的谐振区域,分别在各谐振区域上覆盖键合单元(231),根据图形化设计按需将键合单元(231)电性互联,得到键合结构体(200);各谐振区域位置与各压电薄膜单元(121)位置分别轴对称;转移键合的步骤:将转移结构体(100)上下表面翻转,令底电极单元(131)与谐振区域一一对应键合得到BAW结构体(300);去除外延衬底(110),在压电薄膜单元(121)原本与外延衬底(110)接触的表面生成顶电极单元(141)。2.根据权利要求1所述一种BAW滤波器结构的制备方法,其特征在于,去除外延衬底(110)后,若谐振区域含有牺牲材料,则去除所述牺牲材料。3.根据权利要求1所述一种BAW滤波器结构的制备方法,其特征在于,所述的键合单元(231)是金属或合金材料。4.根据权利要求1所述一种BAW滤波器结构的...
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