气隙型FBAR制造技术

公开了一种气隙型薄膜体声波谐振器(FBAR)，包括：衬底，在顶部表面包括气隙部分；下电极，在所述衬底上方，具有多边形板形状，并且被配置成围绕所述气隙部分的顶部；压电层，形成在所述下电极上方；以及上电极，形成在所述压电层上方。其中，所述下电极包括形成在所述多边形板的一侧板边界表面和所述气隙部分的一侧气隙边界表面之间的电极非沉积区域，以暴露所述气隙部分的顶部的一部分。暴露所述气隙部分的顶部的一部分。暴露所述气隙部分的顶部的一部分。

【技术实现步骤摘要】
气隙型FBAR
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月27日递交的韩国专利申请No.10
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2020
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140116的优先权和权益，其全部公开内容通过引用包含于此。


[0003]本专利技术涉及一种用于滤波器、双工器等以进行射频(RF)波段通信的气隙型薄膜体声波谐振器(thin film bulk acoustic resonator,FBAR)，更具体地涉及一种气隙型FBAR。

技术介绍

[0004]无线移动通信技术需要能够在有限频段内高效传送信息的各种射频(RF)部件。特别是，在RF部件中，滤波器是在移动通信技术中使用的必不可少的部件之一，并且通过在多个频段中选择用户需要的信号或对要发送的信号进行滤波，能够进行高质量通信。
[0005]当前，介电滤波器和声表面波(surface acoustic wave,SAW)滤波器最多地用作进行无线通信的RF滤波器。介电滤波器具有诸如高介电常数、低插入损耗、高温下的稳定性、高抗振性和高抗震性的优点。然而，介电滤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气隙型薄膜体声波谐振器FBAR，包括：衬底，在顶部表面包括气隙部分；下电极，在所述衬底上方，具有多边形板形状，并且被配置成围绕所述气隙部分的顶部；压电层，形成在所述下电极上方；以及上电极，形成在所述压电层上方，其中，所述下电极包括形成在所述多边形板的一侧板边界表面和所述气隙部分的一侧气隙边界表面之间的电极非沉积区域，以暴露所述气隙部分的顶部的一部分。2.根据权利要求1所述的气隙型FBAR，其中所述一侧板边界表面的一部分形成在朝向所述气隙部分的中心的方向上具有特定宽度的槽，以形成所述一侧板边界表面和所述一侧气隙边界表面之间的所述电极非沉积区域。3.根据权利要求1所述的气隙型FBAR，其中所述一侧气隙边界表面的一部分在与所述气隙部分的中...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炳宪，朴钟贤，
申请(专利权)人：天津威盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：