【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置
[0001]本专利技术一般涉及弹性波装置，更详细而言，涉及具备压电体层的弹性波装置。
技术介绍
[0002]以往，已知一种具备支承基板、低声速膜、压电薄膜以及IDT电极的声表面波装置(例如参照专利文献1)。
[0003]支承基板的材料例如是硅。低声速膜的材料例如是氧化硅。压电薄膜的材料例如是LiTaO3。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2015/098678号
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的课题
[0008]在专利文献1所公开的声表面波装置中，难以应对更进一步的高频化。另外，在专利文献1所公开的声表面波装置中，有时由于高次谐波失真、IMD(互调失真)等而引起线性度的降低。
[0009]本专利技术的目的在于，提供一种能够应对高频化且能够提高线性度的弹性波装置。
[0010]用于解决课题的手段
[0011]本专利技术的一方式的弹性波装置具备压电体层、第一电极以及第二电极。所述...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种弹性波装置，具备：压电体层；以及第一电极和第二电极，其在与所述压电体层的厚度方向交叉的方向上对置，所述弹性波装置利用厚度剪切一阶模的体波，其中，所述弹性波装置还具备硅基板，该硅基板具有相互对置的第一主面和第二主面，所述压电体层的材料为铌酸锂或钽酸锂，所述压电体层设置在所述硅基板的所述第一主面上，所述弹性波装置还具有设置于所述硅基板的陷获区域。2.一种弹性波装置，具备：压电体层；以及第一电极和第二电极，其在与所述压电体层的厚度方向交叉的方向上对置，所述第一电极和所述第二电极是彼此相邻的电极，在沿着所述压电体层的厚度方向的任意的剖面中将所述第一电极与所述第二电极的中心线间距离设为p且将所述压电体层的厚度设为d时，d/p为0.5以下，其中，所述弹性波装置还具备硅基板，该硅基板具有相互对置的第一主面和第二主面，所述压电体层的材料为铌酸锂或钽酸锂，所述压电体层具有相互对置的第一主面和第二主面，且设置在所述硅基板的所述第一主面上，所述弹性波装置还具有设置于所述硅基板的陷获区域。3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，所述d/p为0.24以下。4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，所述第一电极具有第一电极主部，该第一电极主部在所述第一电极与所述第二电极对置的方向上与所述第二电极交叉，所述第二电极具有第二电极主部，该第二电极主部在所述第一电极与所述第二电极对置的方向上与所述第一电极交叉，所述压电体层具有规定区域，该规定区域在从所述压电体层的厚度方向的俯视下，在所述压电体层中在所述第一电极与所述第二电极对置的方向上位于所述第一电极与所述第二电极之间，在从所述压电体层的厚度方向的俯视下，将所述第一电极主部的面积设为S1，将所述第二电极主部的面积设为S2，将所述规定区域的面积设为S0，将由(S1+S2)/(S1+S2+S0)规定的构造参数设为MR时，所述弹性波装置满足下述的条件，所述条件是MR≤1.75
×
(d/p)+0.075。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置，其中，所述硅基板的所述第一主面的至少一部分为粗糙面，所述硅基板具有：体区域；以及包括所述粗糙面的表面区域，所述陷获区域包括所述表面区域。6.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置，其中，所述硅基板具有：体区域；以及表面区域，其包括所述硅基板的所述第一主面，所述表面区域是非晶硅层，所述陷获区域包括所述表面区域。7.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置，其中，所述硅基板具有：体区域；以及表面区域，其包括所述硅基板的所述第一主面，所述表面区域是多晶硅层，所述陷获区域包括所述表面区域。8.根据权利要求5所述的弹性波装置，其中，所述粗糙面在从所述压电体层的厚度方向的俯视下，未与包括所述压电体层的一部分以及所述第一电极和所述第二电极的弹性波谐振器重叠。9.根据权利要求1至5、8中任一项所述的弹性波装置，其中，所述陷获区域包括绝缘膜，该绝缘膜直接形成在所述硅基板的所述第一主面上，所述绝缘膜的氧重量比，小于氧化硅的氧重量比。10.根据权利要求1至5、8中任一项所述的弹性波装置，其中，所述陷获区域包括绝缘膜，该绝缘膜直接形成在所述硅基板的所述第一主面...
【专利技术属性】
技术研发人员：山根毅，木村哲也，永友翔，大门克也，岩本英树，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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