一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法，涉及氧化镓半导体及其制造技术，针对氧化镓结势垒肖特基二极管制造时光刻对准次数多等缺陷提出本方案。包括三维鳍式沟槽结构的制作步骤；PN结的制作步骤和电极的制作步骤；在N型氧化镓漂移层上表面铺设图形化的半牺牲肖特基金属层，利用所述半牺牲肖特基金属层作为掩膜对N型氧化镓漂移层进行刻蚀，制作出三维鳍式沟槽结构。优点在于，先制备二极管中的半牺牲肖特基金属层，直接采用该半牺牲肖特基金属层做为刻蚀氧化镓的掩膜。使半牺牲肖特基金属层与氧化镓肋条形成自对准的肖特基接触，直接规避了在肋条顶部去除P型氧化物半导体层及铺设肖特基金属层时必要的光刻对准工作。的光刻对准工作。的光刻对准工作。

【技术实现步骤摘要】
一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法


[0001]本专利技术涉及氧化镓半导体及其制造技术，尤其涉及一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法。

技术介绍

[0002]功率二极管器件具有单向导电性，在功率电路中主要发挥着诸如整流、钳位、续流等至关重要的作用。超宽禁带氧化镓半导体凭借其高击穿场强和低成本单晶生长技术，被认为是新一代制备高压功率二极管器件的优选材料。
[0003]现有报道中的氧化镓功率二极管主要有两种结构，肖特基二极管和基于异质结的PN二极管。其中前者有着开启电压低和开关速度快的优点，但是过大的反向漏电流依然制约着其在高压领域的应用。而后者尽管反向漏电流较低，但是也存在开启电压高的不足。为了克服以上缺点，结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky diode,JBSD)通过在N型外延层表面引入P型半导体材料，使器件的阳极断续排布肖特基结与PN结。在正向导通时肖特基结先开启，反向截止时PN结的耗尽区横向扩展以屏蔽肖特基区域，降低器件反向偏置时肖特基结的电场，能同时实现较低的开启电压以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管制造方法，包括：三维鳍式沟槽结构的制作步骤；PN结的制作步骤；以及，电极的制作步骤；其特征在于，在N型氧化镓漂移层(103)上表面铺设图形化的半牺牲肖特基金属层(104)，利用所述半牺牲肖特基金属层(104)作为掩膜对N型氧化镓漂移层(103)进行刻蚀，制作出三维鳍式沟槽结构。2.根据权利要求1所述一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管制造方法，其特征在于，所述PN结的制作步骤是将P型氧化物半导体层(105)直接覆盖于所述三维鳍式沟槽结构上表面。3.根据权利要求1所述一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管制造方法，其特征在于，所述三维鳍式沟槽结构的制作步骤包括以下子步骤：在N型氧化镓衬底(102)上表面外延N型氧化镓漂移层(103)，在N型氧化镓漂移层(103)上表面铺设图形化的半牺牲肖特基金属层(104)；利用所述半牺牲肖特基金属层(104)对其下方N型氧化镓漂移层(103)材料的保护作用刻蚀出若干肋条，使半牺牲肖特基金属层(...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢星，徐童龄，王钢，陈梓敏，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：