一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法。所述制备方法包括：在基板上形成栅电极层；在栅电极层上制备栅绝缘层；在栅绝缘层上制备沟道层；在沟道层上附加耐刻蚀沟道层，形成双有源层；对双有源层进行图案化处理，形成图案化后的双有源层；在双有源层上制备源漏电极并进行图案化处理，形成图案化后的源漏电极层；在源漏电极层上制备钝化层并进行图案化和打孔处理，形成打孔后的样片；对打孔后的样片进行退火处理，形成BCE结构TFT成品。本发明专利技术方法适用于TFT制程，能够防止BCE结构TFT的金属电极刻蚀对有源层的损伤导致的器件关断和性能退化，同时制程简单、节省成本并且便于工业化应用。成本并且便于工业化应用。成本并且便于工业化应用。

【技术实现步骤摘要】
一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法


[0001]本专利技术涉及面板显示
，特别是涉及一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法。

技术介绍

[0002]TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)液晶显示器在现代生活中有着广泛的应用，如手机显示屏、电脑的显示器、MP3、MP4显示屏等等。目前，根据有源层上有无刻蚀阻挡层，TFT制程可分为ESL(Etch Stop Layer，刻蚀阻挡层)结构和BCE(Back Channel Etch，背沟道刻蚀)结构。BCE结构TFT制程因为寄生电容低、信号失真低、节约成本等优点备受重视，但是这种结构在制备有源层后不附加刻蚀阻挡层，因此后续的电极刻蚀液会直接接触到有源层，可能导致器件关断和性能退化。
[0003]到目前为止，解决湿法刻蚀对BCE结构有源层损伤的技术主要是电极刻蚀液的优化。在SD电极(Source
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Drain，源极
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漏极)的复合电极层中，对接触有源层的钼等金属材料使用有源层损伤程度低的刻蚀液，如氨水、双氧水的水溶液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：准备基板；在所述基板上形成图案化后的栅电极层；在所述栅电极层上制备栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制备沟道层；在所述沟道层上附加耐刻蚀沟道层，形成双有源层；对所述双有源层进行图案化处理，形成图案化后的双有源层；在所述双有源层上制备源漏电极并进行图案化处理，形成图案化后的源漏电极层；在所述源漏电极层上制备钝化层并进行图案化和打孔处理，形成打孔后的样片；对所述打孔后的样片进行退火处理，形成背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管成品。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成图案化后的栅电极层，具体包括：在所述基板上制备栅电极；对所述栅电极涂布光刻胶，再使用掩膜版对光刻胶曝光，再对曝光后的光刻胶显影，再对显影后的光刻胶图案后烘，再用金属刻蚀液或干刻对所述栅电极进行刻蚀，再去除光刻胶，形成所述图案化后的栅电极层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅绝缘层上制备沟道层，具体包括：在所述栅绝缘层上制备20
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80nm的氧化物半导体层，形成所述沟道层。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述沟道层上附加耐刻蚀沟道层，形成双有源层，具体包括：在所述沟道层上附加生长一层厚度为3～10nm的耐刻蚀沟道层，形成所述双有源层。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李喜峰，王琛，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：